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聯(lián)電：28nm年底占1%至3%

  • 　　晶圓代工廠聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成，獲聯(lián)發(fā)科擴(kuò)大下單。聯(lián)電對(duì)此不評(píng)論，表示28奈米進(jìn)展如預(yù)期，今年底將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績(jī)。 　　聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵(lì)下，股價(jià)表現(xiàn)強(qiáng)勁，今天盤中一度達(dá)新臺(tái)幣13.35元，上漲0.75元，漲幅達(dá)5.95%，并創(chuàng)1個(gè)多月來新高價(jià)。 　　聯(lián)電表示，不評(píng)論市場(chǎng)傳言，28nm制程進(jìn)展符合預(yù)期。 　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文于8月法人說明會(huì)中即曾預(yù)期，今年底28奈米制程將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績(jī);40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準(zhǔn)
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聯(lián)電：28nm年底占1%至3%

  • 　　晶圓代工廠聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成，獲聯(lián)發(fā)科擴(kuò)大下單。聯(lián)電對(duì)此不評(píng)論，表示28奈米進(jìn)展如預(yù)期，今年底將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績(jī)。 　　聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵(lì)下，股價(jià)表現(xiàn)強(qiáng)勁，今天盤中一度達(dá)新臺(tái)幣13.35元，上漲0.75元，漲幅達(dá)5.95%，并創(chuàng)1個(gè)多月來新高價(jià)。 　　聯(lián)電表示，不評(píng)論市場(chǎng)傳言，28nm制程進(jìn)展符合預(yù)期。 　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文于8月法人說明會(huì)中即曾預(yù)期，今年底28奈米制程將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績(jī);40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準(zhǔn)。
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聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比 內(nèi)外資高低目標(biāo)價(jià)差達(dá)8元

  • 　　聯(lián)電24日重申早先法說會(huì)釋出的28奈米在今年底營(yíng)收貢獻(xiàn)目標(biāo)為個(gè)位數(shù)百分比。對(duì)聯(lián)電，外資未有調(diào)高目標(biāo)價(jià)的報(bào)告，而內(nèi)資法人出具的最新報(bào)告則從中立轉(zhuǎn)買進(jìn)、喊出調(diào)高目標(biāo)價(jià)至18元，也是內(nèi)資近1年半來的最高價(jià)，并使內(nèi)外機(jī)構(gòu)的高低價(jià)差達(dá)到了8元。 　　市場(chǎng)傳出，聯(lián)電因28nm制程良率顯著提高至7成以上、再獲得聯(lián)發(fā)科訂單，聯(lián)電不評(píng)論單一客戶。聯(lián)電今天重申28nm部分按進(jìn)度，維持早先法說會(huì)釋出，預(yù)估對(duì)今年底營(yíng)收貢獻(xiàn)低個(gè)位數(shù)百分比1-3%。 　　內(nèi)資法人指出，據(jù)最新訪查基于3理由喊買聯(lián)電：(1)28nm制程良率顯著
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聯(lián)電可獲優(yōu)惠通關(guān)待遇

  • 　　晶圓代工廠聯(lián)電23日宣布，日前已通過財(cái)政部關(guān)務(wù)署AEO(Authorized Economic Operator，優(yōu)質(zhì)企業(yè))中心審查，并正式取得AEO認(rèn)證資格，成為國(guó)內(nèi)第一家通過此認(rèn)證的晶圓專業(yè)代工廠。 　　聯(lián)電指出，除積極響應(yīng)海關(guān)推動(dòng)的AEO政策，也致力于貨物整體物流供應(yīng)鏈安全。將在取得AEO認(rèn)證資格之后，可獲得海關(guān)提供之最優(yōu)惠通關(guān)待遇，加速貨物流通速度。 　　聯(lián)電副總廖木良表示，身為國(guó)際化的半導(dǎo)體晶圓廠，有監(jiān)于對(duì)全球反恐趨勢(shì)及維護(hù)貨物安全等議題的重視，聯(lián)電致力于導(dǎo)入AEO制度，并建立供應(yīng)鏈安全
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德意志估聯(lián)電8月起營(yíng)收走滑 Q3約僅季增3%

  • 　　在臺(tái)積電(2330)7月營(yíng)收下滑之下，聯(lián)電(2303)7月營(yíng)收則繳出月增7.4%、來到115.58億元，年增11.59%，登上今年以來單月新高的亮麗成績(jī)單。而公司也于法說會(huì)上預(yù)估，Q3營(yíng)收將能溫和成長(zhǎng)，可望季增約3~4%。不過，外資德意志則是出具最新報(bào)告指出，聯(lián)電7月營(yíng)收雖受益于面板驅(qū)動(dòng)IC需求而強(qiáng)勁走高，不過8月即會(huì)遭遇無線通訊客戶(wireless)的庫存調(diào)整，營(yíng)收估將月減4~6%。 　　也因此，即使7月營(yíng)收優(yōu)于預(yù)期，德意志認(rèn)為，隨著8~9月營(yíng)收下滑，聯(lián)電Q3營(yíng)收約僅會(huì)季增3%左右。而聯(lián)電今年下
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確保與IBM合作有成　聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)

  • 　　聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺(tái)積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎(chǔ)技術(shù)平臺(tái)與材料科技，并將主導(dǎo)大部分制程研發(fā)，以結(jié)合先進(jìn)科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。 　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文表示，隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者對(duì)于更新、更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)
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聯(lián)電Q2 EPS 0.15元 40nm以下營(yíng)收占比2成

  • 　　聯(lián)電舉辦線上法說并公布第2季財(cái)務(wù)報(bào)告，第2季歸屬母公司凈利為新臺(tái)幣18.1億元，每股普通股獲利為新臺(tái)幣0.15元;當(dāng)中40奈米及以下制程的營(yíng)收比重從第1季的18%提升到2成。 　　聯(lián)電第2季營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣319.1億元，與上季的新臺(tái)幣277.8億元相比增加14.8%，較去年同期的新臺(tái)幣303.8億元成長(zhǎng)5%。本季毛利率為19.4%，營(yíng)業(yè)凈利率為3.6%，歸屬母公司凈利為新臺(tái)幣18.1億元，每股普通股獲利為新臺(tái)幣0.15元。 　　聯(lián)華電子執(zhí)行長(zhǎng)顏博文表示，2013年第2季整體營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，其中
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聯(lián)電將跳過20nm 專攻FinFET

  • 　　聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺(tái)積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 　　聯(lián)電市場(chǎng)行銷處處長(zhǎng)黃克勤表示，20納米制程帶來的效益將不 如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn)，且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢(shì)將增加一筆可觀花費(fèi)
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聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達(dá)訂單

  • 　　聯(lián)電29日宣布，12寸URAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)獲得中國(guó)大陸數(shù)碼電視解調(diào)器芯片設(shè)計(jì)公司高拓訊達(dá)(AltoBeam)的訂單，未來將運(yùn)用在高拓訊達(dá)推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器ATBM7812，以因應(yīng)未來數(shù)碼電視市場(chǎng)需求。 　　聯(lián)電亞洲銷售副總經(jīng)理王國(guó)雍表示，高拓訊達(dá)在大陸市場(chǎng)具領(lǐng)導(dǎo)地位，聯(lián)電在先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢(shì)上與大陸芯片設(shè)計(jì)公司進(jìn)一步合作，將提供全方位的技術(shù)解決方案，包含已驗(yàn)證量產(chǎn)的12寸URAM制程，藉此提高高拓訊達(dá)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。 　　聯(lián)電表示，URAM制程是一項(xiàng)獲得專利的嵌入式DRAM技術(shù)
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集中火力攻FinFET 聯(lián)電確定不玩20納米

  • 　　聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺(tái)積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 　　聯(lián)電市場(chǎng)行銷處處長(zhǎng)黃克勤表示，20納米制程帶來的效益將不如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn)，且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢(shì)將增加一筆可觀花費(fèi)，已使
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聯(lián)電 擬赴廈門蓋8寸廠

  • 　　晶圓代工廠聯(lián)電為搶食中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)商機(jī)，計(jì)劃與廈門和當(dāng)?shù)卣腺Y興建8寸晶圓廠，鎖定產(chǎn)能極缺的40到55納米制程技術(shù)。 　　聯(lián)電發(fā)言體系17日表示，日前董事會(huì)通過在3億美元(約新臺(tái)幣90億元)內(nèi)擬投資、參股或購買亞洲8寸或12寸晶圓廠后，公司經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)積極評(píng)估參股或設(shè)廠，大陸的確有很多高科技園區(qū)積極向聯(lián)電招攬投資，但聯(lián)電的一切程序，均會(huì)遵循政府法令進(jìn)行，目前沒有定案。 　　這將是聯(lián)電繼先前協(xié)助和艦到大陸設(shè)廠，2009年宣布100%合并和艦后，另一項(xiàng)赴大陸設(shè)立晶圓廠行動(dòng)，也是2005年政府核準(zhǔn)
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聯(lián)電Q2營(yíng)收季增14.85% 世界增11.9%

  • 　　聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)(5347-TW)今(10)日同步公告6月營(yíng)收數(shù)據(jù)，二者累計(jì)第2季營(yíng)收分別增14.85%、11.9%。 　　聯(lián)電今天公告6月營(yíng)收為107.61億元，較5月略減0.94%，年增11.15%，累計(jì)第2季營(yíng)收319.048億元，較首季277.8億元季增14.85%，略優(yōu)于原預(yù)期的季增12%至14%。 　　聯(lián)電表示，市場(chǎng)整體需求熱絡(luò)，營(yíng)收成長(zhǎng)仍在預(yù)期范圍內(nèi)，蘇州和艦產(chǎn)能近滿載高于總體平均;另在3億美元(約新臺(tái)幣90.01億元)額度內(nèi)評(píng)估在亞洲地區(qū)投資晶圓廠擴(kuò)
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聯(lián)電Q2營(yíng)收季增14.85% 世界增11.9%

  • 　　聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)10日同步公告6月營(yíng)收數(shù)據(jù)，二者累計(jì)第2季營(yíng)收分別增14.85%、11.9%。 　　聯(lián)電今天公告6月營(yíng)收為107.61億元，較5月略減0.94%，年增11.15%，累計(jì)第2季營(yíng)收319.048億元，較首季277.8億元季增14.85%，略優(yōu)于原預(yù)期的季增12%至14%。 　　聯(lián)電表示，市場(chǎng)整體需求熱絡(luò)，營(yíng)收成長(zhǎng)仍在預(yù)期范圍內(nèi)，蘇州和艦產(chǎn)能近滿載高于總體平均;另在3億美元(約新臺(tái)幣90.01億元)額度內(nèi)評(píng)估在亞洲地區(qū)投資晶圓廠擴(kuò)大營(yíng)運(yùn)規(guī)模方面，仍在找尋
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IC需求緊俏 聯(lián)電8寸晶圓廠受惠

  • 　　產(chǎn)能吃緊，聯(lián)電(2303)股價(jià)持續(xù)走強(qiáng)。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新公布資料，5月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比(B/B值)1.08，是連續(xù)五個(gè)月站在多空分界的1之上，分析師指出，這表示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)處于復(fù)蘇軌道，對(duì)聯(lián)電當(dāng)然有正面影響;另一方面，觀察同領(lǐng)域的臺(tái)積電股價(jià)維持高檔震蕩，也可看出正向產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。 　　就公司發(fā)展而言，聯(lián)電近期除了搶進(jìn)高階制程、與力旺結(jié)盟切入矽智財(cái)(IP)市場(chǎng)，更緊捉產(chǎn)能吃緊的8寸晶圓商機(jī)。 　　瑞銀臺(tái)灣證券半導(dǎo)體首席分析師程正樺指出，今年在各種智慧型手持裝
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

  • 　　在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)又邁進(jìn)了一步，當(dāng)然流片完成之后還需要對(duì)過程工藝等等項(xiàng)目進(jìn)行完善和改進(jìn)，還有大量工作要做。 　　 ? 　　近年來，在臺(tái)積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯(lián)電在代工行業(yè)的排名一再下跌，更何況Intel也開始染指代工市場(chǎng)
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聯(lián)電介紹

臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺(tái)灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠(chéng)、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請(qǐng)件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺(tái)積電第三;就取得美國(guó)專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺(tái)積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]

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