采樣電阻 文章 進(jìn)入采樣電阻技術(shù)社區(qū)
一種無采樣電阻的功率器件保護(hù)方法
- MOSFET或IGBT保護(hù)方法有很多,有專門帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路,也有用康銅絲做電流采樣的保護(hù)電路。專門帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路一般成本較高,用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。 下面介紹一種無采樣電阻的方法: 上圖中,Q1是功率管MOSFET或IGBT,R1是負(fù)載,D1是采樣二極管,R2是上拉電阻。在Q1導(dǎo)通時(shí)D1的K極電壓就是Q1壓降,D1的A極電壓在其基礎(chǔ)上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值,當(dāng)過載時(shí)Q1壓降增大,從
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