一種無采樣電阻的功率器件保護方法

　　MOSFET或IGBT保護方法有很多，有專門帶保護的驅(qū)動電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護電路。專門帶保護的驅(qū)動電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。

　　下面介紹一種無采樣電阻的方法：

　　上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導(dǎo)通時D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎(chǔ)上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當過載時Q1壓降增大，從而ADC采樣值增大，大到一定程度時就可以認為是過載，用程序判斷之。電路中D1的作用是防止Q1判斷時VPOWER流入ADC引腳燒毀MCU。

　　該方法成本低，是一種行之有效的方法。