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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 門極驅(qū)動(dòng)

門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

  • 引言對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說，門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。對(duì)導(dǎo)通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng)，由門極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過相同電流的壓降就越低。不過器件導(dǎo)通損耗除了受這個(gè)門極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越薄的導(dǎo)通損
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IGBT門極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓

  • 【導(dǎo)讀】先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個(gè)問題。IGBT是一個(gè)受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG電容產(chǎn)生分布電流灌入門極，使門極電壓抬升，可能導(dǎo)致原本處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT開通，如圖1所示。電流變化di/dt可以通過發(fā)射極和驅(qū)動(dòng)回路共用的
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IPM門極驅(qū)動(dòng)隔離電路

  • IPM門極驅(qū)動(dòng)隔離電路見圖3，它實(shí)現(xiàn)對(duì)80C196MC的6路WM信號(hào)與IPM的光電隔離，并實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)和電平轉(zhuǎn)換功能。光藉采用6N137，這是一種快速光耦，三極管N為9014，供電電壓為15V，該三極管將來自光藉的TTL電平轉(zhuǎn)換為IPM的門極驅(qū)動(dòng)信...
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MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化

  • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
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Avago推出門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器系列

  • 　　Avago Technologies（安華高科技）宣布推出最新的智能型門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品，Avago的ACPL-333J和ACPL-330J系列高速IGBT光電耦合器非常容易集成到工業(yè)變頻器和電源管理等應(yīng)用，例如隔離式IGBT/MOSFET門極驅(qū)動(dòng)、交流和無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器以及不間斷電源等。 　　Avago的ACPL-333J和ACPL-330J分別提供2.5A和1.5A的輸出電流，為可以使IGBT失效保護(hù)功能更緊湊且成本更低的先進(jìn)、高速并且使用容易的智能型門極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。采延展型SO-
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帶電流檢測(cè)的門極驅(qū)動(dòng)ICs: IR212X

  •     概要 器件介紹 電流檢測(cè)原理 電流檢測(cè)電路結(jié)構(gòu) 布線注意事項(xiàng) 1） 器件介紹 IR有四款單通道驅(qū)動(dòng)器具有電流檢測(cè)功能。IR2121和IR2125分別為低端和高端驅(qū)動(dòng)器，它們具有較高的驅(qū)動(dòng)能力（1A出/2A 入）。這兩款器件內(nèi)的電流檢測(cè)電路使用一個(gè)定時(shí)電路，由ERR 腳來確定從檢測(cè)出過流到關(guān)閉輸出的延遲時(shí)間。IR2127 和IR2128 都是高端驅(qū)動(dòng)器（IR2127 的輸入為高有效，IR2128的輸入為低有效），它們的輸出能力較低（200mA出/420mA入），電
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門極驅(qū)動(dòng)介紹

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