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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 零溫系數(shù)點

一種基于40nm CMOS工藝的新型溫度補(bǔ)償、高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源

  • 基于TSMC40LP工藝設(shè)計了一種新穎的溫度補(bǔ)償、高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源。本設(shè)計采用全MOSFET設(shè)計，工作于1.1 V電源電壓，通過將MOSFET偏置在零溫度系數(shù)工作點，并結(jié)合溫度補(bǔ)償技術(shù)和有源衰減電路，實現(xiàn)在-40 ℃~125 ℃內(nèi)溫度變化系數(shù)為6.6 ppm/℃，低頻下電源抑制比為93 dB，高頻下電源抑制比為56 dB，與此同時，利用阻抗調(diào)試對環(huán)路穩(wěn)定性進(jìn)行了補(bǔ)償。
  • 關(guān)鍵字： 帶隙基準(zhǔn)  全CMOS  低電源電壓  曲率補(bǔ)償  高電源抑制比  零溫系數(shù)點  201804  
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零溫系數(shù)點介紹

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