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新型抗總劑量輻照高壓LDMOS結(jié)構(gòu)

• 　　馮垚榮（電子科技大學(xué)，四川 成都 610054）　　摘?要：通過(guò)分析低壓MOS中存在的漏電路徑，針對(duì)高壓LDMOS面積大，最小寬長(zhǎng)比有限制的特點(diǎn)，提出了一種更加適用于高壓LDMOS的新型抗總劑量輻照結(jié)構(gòu)。器件仿真結(jié)果顯示，新結(jié)構(gòu)在實(shí)現(xiàn)500 krad(Si)的抗輻照能力，并且新結(jié)構(gòu)不會(huì)增加面積消耗，與現(xiàn)有工藝完全兼容?！　￡P(guān)鍵詞：總劑量效應(yīng)；高壓LDMOS；抗輻照加固；輻射致漏電路徑　　0 引言　　LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)相比普通的MOSFET具有高耐壓、高增益等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電
• 關(guān)鍵字： 201911  總劑量效應(yīng)  高壓LDMOS  抗輻照加固  輻射致漏電路徑