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SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝

  • 　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別，2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開端，同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。 　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資。” 　　
  • 關(guān)鍵字： SanDisk  10nm  閃存  

硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

  • 　　“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。 　　
  • 關(guān)鍵字： CMOS  10nm  
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10nm介紹

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