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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 10nm

臺積電：不用等7nm，10nm我們就超越英特爾

  • 　　以晶圓代工起家的臺積電稍早前發(fā)布消息稱，公司將在2017年量產(chǎn)10nm芯片，公司聯(lián)席CEO劉德音近日又在公司會議宣布7nm芯片的生產(chǎn)將在2018年啟動。公司董事長顧問蔣尚義對此解釋，臺積電目標就是要超越英特爾，成為全球技術(shù)最先進的芯片制造商。 　　近年來半導體業(yè)出現(xiàn)了一系列并購案，包括英特爾合并全球可程式邏輯晶片大廠之一Altera，英特爾并以15億美元投資手機晶片大廠展訊母公司清華紫光，持股比達20%。Altera和展訊均為臺積電先進制程的主要客戶，如今被英特爾并購和入股，按照英特爾“
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三星10nm 拚明年底量產(chǎn)

  • 　　半導體市場第2季需求明顯趨緩，但國際半導體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)公布2015年4月份北美半導體設(shè)備訂單及出貨金額，卻同步攀上近3年新高，其中 有2個主要原因，一是記憶體廠力拚20奈米DRAM制程微縮及3D NAND擴產(chǎn);二是晶圓代工廠10奈米制程競賽正式開打。 　　臺積電16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程已進入量產(chǎn)階段，雖然進度上落后三星14奈米FinFET制程，但臺積電信心滿滿，認為第3季產(chǎn)能快速拉升后，明年將可奪回14/16奈米FinFET制程市場占有率，且加計20奈米的市占率將在
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10nm制程技術(shù)穩(wěn)定 Intel新處理器順利推出

  • 　　稍早宣布更新的15寸MacBook Pro with Retina Display，確定仍維持使用Intel Haswell平臺的第四代Core i7系列處理器，顯示Intel確定選擇在Computex 2015期間正式解禁高效能表現(xiàn)的Broadwell平臺H系列處理器，以及兩款高階桌機版處理器。 　　另外就先前消息顯示，Intel預(yù)期在今年下半年于美國IDF 2015期間揭曉采用14nm制程技術(shù)生產(chǎn)的Skylake平臺處理器，分別將推出S系列、Y系列、U系列，以及H系列規(guī)格，藉此讓新款處理器能在2
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推進10nm制程 ARM擬提前揭曉新核心架構(gòu)

  • 完全沒看出來ARM要往服務(wù)企業(yè)領(lǐng)域發(fā)展，還是在繼續(xù)強化移動設(shè)備領(lǐng)域，聽說ARM表示有相當信心維持領(lǐng)先地位同時也認為Intel即便加速追趕也無法造成明顯威脅。
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臺積電10nm報喜 2020年營收占比將達55%

  • 　　分享外資透露，臺積電共同執(zhí)行長劉德音18日在美林論壇專題演講中指出，物聯(lián)網(wǎng)將是繼移動設(shè)備之后，半導體產(chǎn)業(yè)的成長新機會。臺積電先進制程也捎來喜訊，劉德音預(yù)估，2020年時10納米制程占臺積電總營收比重將達55%。 　　業(yè)界認為，物聯(lián)網(wǎng)商機龐大，估計至2020年時，可創(chuàng)造約500億顆芯片需求，臺積電身為全球晶圓代工龍頭，在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的成熟制程已取得制高點位置，加上臺積電10納米先進制程可望成為2020年營收主力，追趕英特爾，在成熟與先進制程同步大躍進帶動下，臺積電后市看俏。 　　劉德音受邀在美林論壇以
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臺積電10nm訂單傳出好消息 趕超英特爾？

  • 　　外資圈17日傳出，因臺積電10納米制程技術(shù)大幅提升，先前在14納米制程琵琶別抱英特爾的阿爾特拉(Altera)，將在臺積電與英特爾中擇一作為10納米合作伙伴。外資法人認為，阿爾特拉訂單若重回臺積電懷抱，將是繼去年拿下蘋果A8訂單后的另一項利多題材，投資價值將進一步攀升。 　　   　　臺積電各制程成本節(jié)省幅度 　　外資回頭買超臺積電 　　受此利多消息，外資昨天又回頭買超臺積電8，139張，暫時化解“賣臺積電、轉(zhuǎn)買三星”的潛在危機，臺積電昨天以2.05%漲
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10nm級移動應(yīng)用處理器戰(zhàn)火一觸即發(fā)

  • 　　10納米級移動應(yīng)用處理器(AP)戰(zhàn)火一觸即發(fā)，據(jù)傳英特爾(Intel)繼三星電子 (Samsung Electronics)之后，2015年將推出14納米移動AP Cherry Trail，英特爾與三星電子的移動AP之爭，勢將對業(yè)界龍頭高通(Qualcomm)產(chǎn)生威脅。 　　據(jù)Digital Times報導，日前業(yè)界傳出消息，指出繼應(yīng)用14納米制程技術(shù)的Broadwell中央處理器(CPU)后，2015年內(nèi)英特爾將再推移動AP Cherry Trail，目前已開始為制造商供貨，預(yù)定將在2015年中旬
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臺積電預(yù)計2017年量產(chǎn)10nm 追上英特爾

  • 　　晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)透露該公司將在2017年開始量產(chǎn)10納米制程，屆時將能與英特爾(Intel)并駕齊驅(qū);“我們的10納米制程性能表現(xiàn)，包括速度、功率與密度，將會與我們認為英特爾為其10納米技術(shù)所定義的規(guī)格相當;”臺積電企業(yè)通訊部門總監(jiān)Elizabeth Sun表示：“憑藉技術(shù)實力，我們認為能在10納米節(jié)點拉近差距。” 　　而臺積電首度 表示，今年預(yù)期將會有半導體產(chǎn)業(yè)界最大規(guī)模的資本支出，其目標是鞏固其晶圓代工市場領(lǐng)導地位，以對抗英特爾、三星
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英特爾：10nm工藝離大家不遠了

  • 　　半導體技術(shù)可以說是人類社會發(fā)展速度最快的一項技術(shù)了，摩爾定律的魔力刺激著信息社會飛速發(fā)展，半導體的工藝制程現(xiàn)在已經(jīng)邁入了驚人的14納米級別，誰還能想像到50年前笨重的晶體管時代? 　　不過在半導體工藝進入14nm之后，芯片的發(fā)展速度有變慢的趨勢。2014年，英特爾就在14納米工藝處理器的發(fā)布時間上放了大家鴿子，采用14nm工藝的Broadwell原本2014年年中發(fā)布，但實際上到今年才會實現(xiàn)量產(chǎn)。半導體工藝在進入10nm級別后就已經(jīng)逼近硅基半導體的物理極限，制造成本和風險都在不斷提高，本來按照英特爾
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Intel 10nm時間敲定 拒絕14nm悲劇再演

  • 如果認為英特爾推遲14nm，打破摩爾定律或者英特爾的節(jié)奏是個悲劇，那么這種看法才是真正的悲劇，因為摩爾定律本身是個總結(jié)性的現(xiàn)象，而非預(yù)測性的或者技術(shù)發(fā)展的本質(zhì)規(guī)律。
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英特爾芯片開發(fā)受阻 10nm要等到2017

  • 　　半導體工藝進入1xnm節(jié)點之后，各大巨頭都遭遇了嚴重的困難，尤其是Intel 14nm出現(xiàn)了前所未有的延遲，與計劃進度嚴重脫節(jié)，至今只有寥寥兩個產(chǎn)品線，今年下半年才會全面普及。 　　臺積電16nm原本寄予厚望，2015年初就要快速量產(chǎn)，結(jié)果連續(xù)跳票，現(xiàn)在看最快也得年底了，甚至得2016年。 　　三星14nm相對還好一些，起步雖晚但是進步很快，據(jù)說良品率提高很快，又拉上Global Foundries做同盟，已經(jīng)贏得了蘋果、高通的芳心。 　　如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式，后續(xù)進展順利的
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Intel昭告未來：10nm報到

  • 　　在工藝技術(shù)上，Intel一直保持著遙遙領(lǐng)先的節(jié)奏?，F(xiàn)在，10nm已經(jīng)來了。
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ARM與臺積電宣布采用10nm FinFET工藝

  • 　　在宣布將以16nm FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)ARM 64位處理器后，臺積電再進一步與ARM攜手宣布，未來將透過10nm FinFET制程技術(shù)制作64位架構(gòu)ARMv8-A處理器 ，預(yù)計最快在2015年第四季啟用此項技術(shù)，屆時將可支持各客戶采用10nm FinFET制程技術(shù)完成64位ARM架構(gòu)處理器的設(shè)計定案。 　　進一步縮減制程技術(shù)后，預(yù)期將使相同架構(gòu)處理器產(chǎn)品能以更少電功耗發(fā)揮更高的運作效能，或是更進一步縮減硬件產(chǎn)品體積、散熱所需空間等特性。
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檢測10nm以下半導體　CD-SEM量測技術(shù)邁大步

  • 　　半導體進入10奈米以下技術(shù)節(jié)點或三維(3D)結(jié)構(gòu)時，將面臨嚴重的導孔偏移問題，所幸，設(shè)備商已研發(fā)出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)，可提供更清晰的對焦和更精細的量測影像，有效克服導孔對準挑戰(zhàn)。 　　多年來，業(yè)界一直使用微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行量測，此種顯微鏡會射出電子束，與要掃描的材料作用，然后回傳訊號，再由量測機臺比對運算這些訊號。今日，針對小于10奈米(nm)的尺寸，CD-SEM或其他所有量測設(shè)備，必須處理更多的薄膜層、更高的縱橫比(HAR
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半導體材料爭相從10nm向5nm發(fā)展

  • 　　隨著晶體管向10nm、7nm甚至更小尺寸的發(fā)展，半導體行業(yè)面臨著真正的材料選擇困擾?；?、溝道、柵和接觸材料都迫切需要評估。 　　“在14nm,10nm工藝時代，器件架構(gòu)是確定的。”Intermolecular有限公司半導體部門高級副總裁兼總經(jīng)理RajJammy表示，“大多數(shù)情況下采用FinFET架構(gòu)，當然也有其它選項，如完全耗盡型絕緣硅(SOI)。” 　　對于10nm和7nm來說，Jammy認為高K值金屬柵將占主導地位，但真正的挑戰(zhàn)將是溝道
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