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國產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

  • 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
  • 關鍵字： 國產(chǎn)  128層  QLC  閃存  

SK海力士128層4D NAND出樣

  • 近日消息 根據(jù)guru3D的報道，隨著NAND閃存技術的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時代即將到來，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
  • 關鍵字： SK  4D NAND  128層  

SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開賣

  • SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開始銷售。
  • 關鍵字： SK海力士  4D NAND  128層  
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