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1700V,200~300A IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)
- 標(biāo)簽:IGBT 電源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低
- 關(guān)鍵字: 保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) IGBT 300A 1700V
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