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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d x-dram

汽車車載3D技術(shù)應(yīng)用助力實(shí)現(xiàn)安全駕駛

  • 3D并不是什么新技術(shù)，在消費(fèi)電子領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用，但在汽車應(yīng)用中卻處于起步階段，仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應(yīng)用為
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手機(jī)DRAM有漏洞，黑客可竊取手機(jī)最高權(quán)限

  • 　　阿姆斯特丹自由大學(xué)(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實(shí)驗(yàn)室VUSec Lab本周揭露了一個(gè)可能影響所有智能手機(jī)的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動(dòng)平臺(tái)或程式上，而是藏匿在手機(jī)所使用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中，將允許駭客取得手機(jī)的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機(jī)進(jìn)行測試，但理論上該漏洞也會(huì)影響iPhone或基于其他平臺(tái)的手機(jī)。 　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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存儲(chǔ)器價(jià)格回溫　2016年IC市場可望成長1%

  • 　　市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對2016年全球半導(dǎo)體市場營收的成長率預(yù)測，由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強(qiáng)勁表現(xiàn)。 　　IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機(jī)構(gòu)預(yù)期，2016年第四
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SMIC擴(kuò)產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導(dǎo)體增長預(yù)測

  • 　　據(jù)ICInsight的最新預(yù)測，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長率將是1%，之前的預(yù)測為下降2%。它的最新預(yù)測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測增加4%，上升至6%。 　　IC Insight修正預(yù)測的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達(dá)62%。如今由于智能手機(jī)及PC對于DRAM的容量需求上升，導(dǎo)致市場缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開始擴(kuò)大投資，增加
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

  • 　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲(chǔ)芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 　　2015年中，國家級存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
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手機(jī)DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8

  • 　　行動(dòng)裝置的記憶體不斷擴(kuò)大!三星電子宣布，智慧機(jī)將進(jìn)入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預(yù)料將用于明年初問世的Galaxy S8。 　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動(dòng)DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動(dòng)DRAM的到來，可讓次世代旗艦機(jī)的功能更上一層樓。 　　目前智慧機(jī)行動(dòng)DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)?、虛擬實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當(dāng)前
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

  • 　　由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲(chǔ)芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 　　   　　2015年中，國家級存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲(chǔ)單元在2015年已通過驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲(chǔ)器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 　　最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場的DRAM技術(shù) 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機(jī)等方面的市場需求萎縮，新的增長點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場領(lǐng)域。然而當(dāng)前
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詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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基于單片機(jī)的X-γ射線檢測報(bào)警系統(tǒng)的研究

  • 核技術(shù)在給社會(huì)帶來巨大利益的同時(shí)，也影響著我們的健康與我們的生存環(huán)境，經(jīng)常帶來人員傷亡與環(huán)境污染等事故。在工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療檢測及科學(xué)試驗(yàn)過程中同位素與射線裝置輻射屏蔽的不完全，使工作人員或多或少地會(huì)受到
  • 關(guān)鍵字： X-γ射線  檢測報(bào)警系統(tǒng)  單片機(jī)  便攜  經(jīng)濟(jì)  

DIY 3D全息投影儀

  • YouTube上的科技頻道總不乏各種技術(shù)宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發(fā)布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺(tái)智能手機(jī)打造成一臺(tái)3D全息投影儀的全過程。 下面就讓我們一起來見證一下奇跡發(fā)
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X-Fab將收購已進(jìn)入破產(chǎn)程序法國專業(yè)晶圓代工廠Altis

  • 　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購價(jià)格方面，X-Fab未進(jìn)一步對外透露。 　　根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semiconductor將有助增
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3d x-dram介紹

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