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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm finfet

臺積電計(jì)劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

  • 　　臺積電在8月14日宣布，公司董事會(huì)已批準(zhǔn)了一項(xiàng)約45億美元的資本預(yù)算。未來將會(huì)使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺灣媒體報(bào)道稱，臺積電計(jì)劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實(shí)現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)。　　根據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》的報(bào)道，臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」，這項(xiàng)議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?！　?jù)悉，臺積電計(jì)劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時(shí)最快可以在2022年實(shí)現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
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中芯國際14納米FinFET制程開始客戶導(dǎo)入，Q2營收同比增長18.6%

  • 　　9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進(jìn)入到客戶導(dǎo)入階段，可以預(yù)見量產(chǎn)目標(biāo)已不遙遠(yuǎn)。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對于中芯國際來說將是一個(gè)歷史性的時(shí)刻。不僅可以確保其遙遙領(lǐng)先于國內(nèi)的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離?！　「鶕?jù)中芯國際財(cái)報(bào)，第二季度不含技術(shù)授權(quán)收入(授權(quán)收入)確認(rèn)的銷售額為8.379億
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利用FinFET優(yōu)勢的六種方式

  • 為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢， 必須要求我們的設(shè)計(jì)人員將有相關(guān)工藝知識的設(shè)計(jì)戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結(jié)合，其中包括了標(biāo)準(zhǔn)
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FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗(yàn)

  • 隨著高級工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分
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三星侵犯大學(xué)專利，賠償金或高達(dá)4億美元

  • 　　近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)作出一項(xiàng)裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項(xiàng)專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_(dá)4億美元?！　?jù)了解，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而三星向陪審團(tuán)表示，它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時(shí)，其對手英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個(gè)事件的嚴(yán)重性?！　?jù)悉
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掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

  • 小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應(yīng)用原理，了解每一顆芯片生產(chǎn)背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
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胡正明：技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍

  • 　　“半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新，可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時(shí)表示?！　∽?965年摩爾定律提出以來，歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀(jì)以來，每隔十年，摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會(huì)遭遇到可能終止的危機(jī)。　　胡正明發(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來新契機(jī)。 2011年5月
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7nm或?qū)⒁?018年手機(jī)市場，國產(chǎn)手機(jī)岌岌可危

  • 在2018年，如果蘋果新一代產(chǎn)品應(yīng)用7nm制程工藝的消息被確認(rèn)，那么對于其競爭對手，或?qū)⒊蔀橐粓鲂蕊L(fēng)血雨;而對于整個(gè)產(chǎn)業(yè)來說，或?qū)⒊蔀檗D(zhuǎn)折點(diǎn);對于我們消費(fèi)者來說，當(dāng)然是件好事情。
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aveni S.A. 運(yùn)用創(chuàng)新電鍍化學(xué)，將銅互連擴(kuò)展至5nm及以下節(jié)點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)BEOL集成

  • 　　為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中，在5nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)可繼續(xù)使用銅?！　　钢荡算~集成20周年之際，我們的研究結(jié)果證實(shí)了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達(dá)的意見：『銅集成可持續(xù)使用』?！筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出?！　∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
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暗流涌動(dòng) 晶圓市場強(qiáng)者生存

  • 目前晶圓代工市場三強(qiáng)分立，Intel、三星、臺積電都在積極備戰(zhàn)之中。而中國市場也是這些大佬的兵家必爭之地，擁有了中國市場便擁有了全世界。晶圓市場暗流涌動(dòng)，鹿死誰手猶未可知。
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摩爾定律：始于半導(dǎo)體 終于物理極限？

  • 摩爾定律的提出只為預(yù)測半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢，但是隨著其在半導(dǎo)體行業(yè)的聲名鵲起，外界各行各業(yè)對于競相仿效。
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格芯技術(shù)大會(huì)攜最新技術(shù)突出中國市場重要地位

  • 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì)（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì)者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì)，本次大會(huì)格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
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張忠謀：3nm晶圓廠2020年開建 未來3年收入增幅都達(dá)5-10％

  • 　　臺積電創(chuàng)始人兼董事長張忠謀在近日的一次公司會(huì)議上披露，臺積電將在2020年開工建設(shè)3nm工藝晶圓廠，但不會(huì)去美國設(shè)廠，而是堅(jiān)持留在中國臺灣本土，確切地說是在南部科技園區(qū)。 　　張忠謀提出，臺積電相信當(dāng)?shù)卣畷?huì)解決好3nm工廠建設(shè)所需的水電土地問題，并提供全力協(xié)助。 　　按照張忠謀此前的說法，3nm工廠建設(shè)預(yù)計(jì)會(huì)花費(fèi)超過200億美元，同時(shí)有望帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)商跟進(jìn)建廠，拉動(dòng)臺南地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。 　　他沒有透露3nm工廠何時(shí)完工、新工藝何時(shí)量產(chǎn)，但即便不考慮額外困難和挑戰(zhàn)，最快也得是2023年的事兒了。
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詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET

  • 詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
  • 關(guān)鍵字： FinFET  半導(dǎo)體工藝  

臺積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲？

  • 　　10月7日，芯片代工廠臺積電宣布選址南科臺南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺積電董事長張忠謀透漏，臺積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè)，于2020年左右竣工，這也將成為全球首家3nm晶圓廠。 　　2016年末至2017年初，三星與臺積電先后推出10nm制程工藝，穩(wěn)占手機(jī)芯片市場80%以上的市場份額。在這場角斗中，英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢，錯(cuò)失了市場先機(jī)。即使后來推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺積電，但是對于整體市場來說，并沒有太大影響。 　　臺積電面臨的局勢 　　臺積電主要客戶為蘋果、高通、
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