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傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺(tái)灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動(dòng)作。據(jù)報(bào)道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺(tái)積電資深研發(fā)處長。 　　之前蔣尚義加入中芯時(shí)，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)還是在臺(tái)積電的任職時(shí)間來看，他都堪稱元老。在臺(tái)積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺(tái)積電16年
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臺(tái)積電公開回復(fù)：東芝競標(biāo)案和3nm廠選址

  • 　　臺(tái)積電13日的法說會(huì)中，針對(duì)近期兩大熱門議題：日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址，一一對(duì)外界做最新的回覆。 　　自從臺(tái)積電董事長張忠謀公開表示，考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競標(biāo)案后，臺(tái)積電對(duì)該案的態(tài)度備受市場關(guān)注，尤其參與競標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。 　　臺(tái)積電13日指出，內(nèi)部確實(shí)評(píng)估過該案，但最后決定不去參與競標(biāo)，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是
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英特爾7億美金建廠美國 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)

  • 　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式將赴美國設(shè)立晶圓廠列入選項(xiàng)，且目標(biāo)直指最先進(jìn)且投資金額高達(dá)5000億元的3納米制程。臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山。 　　擔(dān)憂臺(tái)灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 　　臺(tái)媒引述指出，臺(tái)積電政策轉(zhuǎn)向，主因是南科高雄園區(qū)路竹基地，環(huán)評(píng)作業(yè)完成時(shí)間可能無法配合臺(tái)積電需求，加上空氣品質(zhì)及臺(tái)灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳，也是干擾設(shè)廠的變數(shù)。 　　臺(tái)積電表示，南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外，持續(xù)觀察，選地尚未決定。至于電力問題，臺(tái)積電重申，考慮設(shè)廠地點(diǎn)，水、電、土地、人才，
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臺(tái)積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線

  • 　　臺(tái)科技部長陳良基15日接受經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)專訪時(shí)表示,他上任后主動(dòng)拜會(huì)臺(tái)積電董事長張忠謀等科技大老,對(duì)臺(tái)積電3納米計(jì)劃需求,政府將全力協(xié)助,也會(huì)特別關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并從近程及長期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 　　對(duì)于空污總量管制等環(huán)保要求,會(huì)否影響臺(tái)積電3納米進(jìn)程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺(tái)積電對(duì)3納米需求,水電、土地、空污等因應(yīng)措施,并沒有不能解決的悲觀?！顾㈩A(yù)言,以人工智能(AI)技術(shù)為主的沛星互動(dòng)科技(Appier),十年后有可能成為另一個(gè)「臺(tái)積電」。 　　陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
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FinFET之父胡正明談人才培育

  • 　　潘文淵文教基金會(huì)日前舉行“潘文淵獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮，2016年的得獎(jiǎng)人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺(tái)擔(dān)任臺(tái)積電首任技術(shù)長，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來的最大變革。 　　胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育，為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎(jiǎng)典禮中，胡正明與清華大學(xué)前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進(jìn)行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。 　　肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。 　　眾所周知，當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對(duì)電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對(duì)比 中國需要發(fā)展誰才正確

  • 中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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高通總裁談服務(wù)器芯片：更低功耗實(shí)現(xiàn)相同性能

  • 　　2016年12月7日，高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進(jìn)展：其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預(yù)計(jì)在2017年下半年實(shí)現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進(jìn)的10nm FinFET制程技術(shù)，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個(gè)核心。 　　高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
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中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

  • 　　最近，中國微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動(dòng)性能達(dá)到了國際先進(jìn)水平。 　　基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(huì)(IEDM)接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會(huì)場之一——硅基先導(dǎo)CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上，由張青竹
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中國突破半導(dǎo)體新工藝 先要從這位美籍華人講起

  • 由于技術(shù)和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術(shù)、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會(huì)遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
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格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長距離SerDes

  • 　　格羅方德公司今天宣布，已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備。　　格羅方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時(shí)支持 PAM4 和 NRZ 信號(hào)傳導(dǎo)，可補(bǔ)償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
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控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛？

  • 　　盡管距離國際標(biāo)準(zhǔn)化組織確定的2020年5G商用仍有3年時(shí)間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡(luò)還有潛力挖掘和價(jià)值提升的空間，然而全球“大T”們(運(yùn)營商)的發(fā)展焦點(diǎn)已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)制定、產(chǎn)業(yè)儲(chǔ)備等方面入手，對(duì)5G進(jìn)行全面布局。 　　“預(yù)計(jì)2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)。”鑒于全球運(yùn)營商的積極行動(dòng)，業(yè)界紛紛調(diào)高了對(duì)5G發(fā)展速度的預(yù)期，愛立信在近期發(fā)布的《移動(dòng)市場報(bào)告》中就給出了2020年5.5億用戶的預(yù)期。
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FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長空間

  • 　　半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說，由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。 　　在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動(dòng)”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評(píng)選出15項(xiàng)最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)，在半導(dǎo)體微型化的突破成就是其中之一。 　　胡正明率領(lǐng)的美國加州大學(xué)柏克萊分校團(tuán)隊(duì)，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導(dǎo)
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SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
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FinFET 技術(shù)中的電路設(shè)計(jì)：演進(jìn)還是革命?

  • 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術(shù)為其最先進(jìn)的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點(diǎn)上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
  • 關(guān)鍵字： FinFET  電路設(shè)計(jì)  
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