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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm finfet

Intel 3 “3nm 級”工藝技術正在大批量生產(chǎn)

  • 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產(chǎn)，并提供了有關新生產(chǎn)節(jié)點的一些額外細節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節(jié)點針對的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
  • 關鍵字： Intel 3  3nm   工藝  

谷歌已經(jīng)與臺積電達成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

  • 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據(jù)Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
  • 關鍵字： 谷歌  臺積電  Tensor G5  3nm  工藝  

曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

  • 6月23日消息，據(jù)媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
  • 關鍵字： 三星  3nm  良率  Exynos 2500  

“Intel 3”3nm制程技術已開始量產(chǎn)

  • 據(jù)外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產(chǎn)，并提供了有關新生產(chǎn)節(jié)點的一些額外細節(jié)。據(jù)介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節(jié)點既針對英特爾自己的產(chǎn)品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數(shù)據(jù)中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協(xié)同優(yōu)化來實現(xiàn)尖端性能。生產(chǎn)節(jié)點支持<0.6V低壓以及&g
  • 關鍵字： 英特爾  3nm  

臺積電產(chǎn)能供不應求，將針對先進制程和先進封裝漲價

  • 6月17日，據(jù)臺媒《工商時報》報道，在產(chǎn)能供不應求的情況下，臺積電將針對3nm/5nm先進制程和先進封裝執(zhí)行價格調(diào)漲。其中，3nm代工報價漲幅或在5%以上，而2025年度先進封裝報價也將上漲10~20%。
  • 關鍵字： 臺積電  制程  封裝  3nm  5nm  英偉達  CoWoS  

臺積電3nm供不應求引漲價潮！NVIDIA、AMD、蘋果等都要漲價

  • 6月16日消息，據(jù)媒體報道，隨著臺積電3納米供不應求，預期臺積電3納米訂單滿至2026年，NVIDIA、蘋果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價格。在AI服務器、HPC應用與高階智能手機AI化驅(qū)動下，蘋果、高通、英偉達、AMD等四大廠傳大舉包下臺積電3納米家族制程產(chǎn)能，并涌現(xiàn)客戶排隊潮，一路排到2026年。業(yè)界認為，在客戶搶著預訂產(chǎn)能下，臺積3納米家族產(chǎn)能持續(xù)吃緊，將成為近二年常態(tài)。由于供不應求的局面，臺積電正在考慮將部分5納米設備轉(zhuǎn)換為支持3納米產(chǎn)能，預計月產(chǎn)能有望提升至12萬片至18萬片。盡管臺積電
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  供不應求  漲價  NVIDIA  AMD  蘋果  

Arm發(fā)布基于3nm芯片工藝的新CPU、GPU IP

  • 芯片設計公司Arm今日發(fā)布了針對旗艦智能手機的新一代CPU和GPU IP（設計方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產(chǎn)品均使用了其最新的Armv9架構，基于臺積電3nm制程工藝方案，針對終端設備在AI應用上的性能進行設計優(yōu)化。此外還將提供軟件工具，讓開發(fā)人員更容易在采用Arm架構的芯片上運行生成式AI聊天機器人和其他AI代碼。預計搭載最新內(nèi)核設計的手機將于2024年底上市。據(jù)官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類產(chǎn)品中性能最強的一代，新CPU性能提升3
  • 關鍵字： arm  CPU  GPU  IP  3nm  

爆料稱英偉達首款 AI PC 處理器將基于英特爾 3nm 工藝，RTX 50 同款 GPU 架構

  • IT之家 5 月 27 日消息，X 平臺消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料，表示英偉達有望于明年推出的首款 AI PC 處理器將采用英特爾“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回應另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文時發(fā)表這一看法的：@XpeaGPU 認為英偉達的 WoA SoC 將搭載 Arm Coretex-X5 架構 CPU 內(nèi)核、英偉達 Blackwell 架構 GPU，封裝下一代 LPDDR6 內(nèi)存，并基于臺積電 N3P 制程。
  • 關鍵字： 英特爾  AI PC  3nm  

臺積電 2024 年新建七座工廠，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足

  • IT之家 5 月 24 日消息，臺積電高管黃遠國昨日在 2024 年臺積電技術論壇新竹場表示，該企業(yè)將在今年新建七座工廠，而今年的 3nm 產(chǎn)能將達到去年的四倍。具體而言，臺積電 2024 年將在全球建設 5 座晶圓廠和 2 座先進封裝廠。臺積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠均面向 2nm 制程，目前都處于設備進駐階段，預計 2025 年陸續(xù)進入量產(chǎn)。IT之家早前報道中也提到，臺積電已確認其歐洲子公司 ESMC 位于德國德累斯頓的首座晶圓廠將于今年四季度動工，預估 202
  • 關鍵字： 3nm  臺積電  

良率不及臺積電4成！三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗

  • 全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報導說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
  • 關鍵字： 良率  臺積電  三星  3nm  英偉達  

臺積電 3nm 工藝步入正軌，2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點

  • IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術研討會，表示其 3nm 工藝節(jié)點已步入正軌，N3P 節(jié)點將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點，進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節(jié)點良率進一步提高，已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質(zhì)量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設計規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  N3P  

瞄準AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠制程升級至2nm

  • 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm，量產(chǎn)時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關的強勁需求。在OpenAI訓練
  • 關鍵字： AI  臺積電  晶圓  制程  2nm  3nm  

Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片

  • 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設計，堅定客戶對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領先供應商Dolphin De
  • 關鍵字： Dolphin Design  12納米  12nm  FinFet  成功流片  

三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

  • 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題，未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
  • 關鍵字： 三星  Exynos  芯片  3nm  GAA  

晶體管進入納米片時代

  • 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關重要。
  • 關鍵字： FinFET  
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