首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm finfet

難道是新款麒麟？三星透露3nm芯片新消息，信息量頗大

  • 在芯片企業(yè)中，華為海思還是頂流的存在，可以說，華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋果A系列并駕齊驅(qū)。甚至可以說，海思麒麟芯片還領(lǐng)先于蘋果、高通，因為首款5nm 5G Soc就是華為海思推出的，NPU也是華為率先用在處理器中，蘋果、高通紛紛效仿。然而，誰也沒有想到的是，美多次修改芯片等規(guī)則，導(dǎo)致臺積電等企業(yè)不能自由出貨，原因是臺積電等在芯片生產(chǎn)制造過程中也使用了相關(guān)美技術(shù)。在這樣的情況，臺積電等積極爭取自由出貨許可，還不斷加速發(fā)展先進(jìn)技術(shù)，目的就是盡可能地降低對美技術(shù)的依賴，從而實現(xiàn)自由出貨。
  • 關(guān)鍵字： 麒麟  三星  3nm  

Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運算先進(jìn)FinFET

  • 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達(dá)成兩項關(guān)鍵目標(biāo)：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
  • 關(guān)鍵字： Intel 4  制程技術(shù)  FinFET  Meteor Lake  

三星3nm工藝搶先量產(chǎn) 專家表態(tài)：趕鴨子上架、沒人用的

  • 一如之前預(yù)告的那樣，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn)，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產(chǎn)，并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝，技術(shù)上也是全面壓制了臺積電，后者要到2nm節(jié)點才會用上GAA工藝。根據(jù)三星所說，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。對于三星搶先量產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 三星  3nm  

三星否認(rèn)“3nm 芯片量產(chǎn)延后”，稱仍按進(jìn)度于第二季度開始量產(chǎn)

  • 　　三星電子今日否認(rèn)了韓國當(dāng)?shù)孛襟w《東亞日報》有關(guān)延后3nm量產(chǎn)的報道。《東亞日報》此前報道稱，由于良率遠(yuǎn)低于目標(biāo)，三星3nm量產(chǎn)將再延后。　　三星一位發(fā)言人通過電話表示，三星目前仍按進(jìn)度于第二季度開始量產(chǎn)3nm芯片?！　?jù)了解到，昨天韓媒BusinessKorea消息稱，三星為趕超臺積電，加碼押注3nm GAA技術(shù)，并計劃在2025年量產(chǎn)以GAA工藝為基礎(chǔ)的2nm芯片?！　∠⒎Q，三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過技術(shù)上的飛躍，快速縮小與臺
  • 關(guān)鍵字： 三星  3nm  芯片工藝  

先跑并不意味著先贏 良品率才是贏得3nm之爭的關(guān)鍵

  • 隨著雙寡頭拉起的3nm制程競賽，未來行業(yè)內(nèi)的晶圓代工訂單勢必將向這兩家公司進(jìn)一步集中，由于半導(dǎo)體行業(yè)極度依賴規(guī)模效應(yīng)，未來晶圓代工這個行業(yè)也很難再有新的挑戰(zhàn)者出現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 3nm  三星  臺積電  

蘋果M3芯片代號Palma 采用臺積電3nm工藝

  • WWDC2022上蘋果正式發(fā)布了搭載全新M2芯片的全新MacBook Air和 13英寸MacBook Pro機(jī)型。M2備受關(guān)注，然而現(xiàn)在蘋果下一代M系列芯片M3已經(jīng)曝光。數(shù)碼博主 @手機(jī)晶片達(dá)人表示，M3目前正在設(shè)計當(dāng)中，項目代號叫做Palma，預(yù)計2023/ Q3流片，采用臺積電3nm的工藝。當(dāng)然，這些都還只是傳言，蘋果官方還未公布確切消息，對新芯片感興趣的小伙伴兒可以持續(xù)關(guān)注跟進(jìn)報道。
  • 關(guān)鍵字： 蘋果  M3  Palma  臺積電  3nm  

功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀：搶先臺積電量產(chǎn)

  • 　　三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一，3nm節(jié)點是他們的一個殺手锏，之前一直被良率不行等負(fù)面?zhèn)髀劺_，日前三星公司終于亮出首個3nm晶圓，按計劃將在今年Q2季度量產(chǎn)，比臺積電還要早一些。　　日前美國總統(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠，這里是目前全球唯一一個可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知?！　θ莵碚f，3nm節(jié)點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關(guān)鍵，因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術(shù)，三
  • 關(guān)鍵字： 三星  3nm  

Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具

  • 上月，三星代工（Samsung Foundry）部門悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應(yīng)用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。（來自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
  • 關(guān)鍵字： 3nm  晶體管  

三星正推進(jìn)3nm工藝二季度量產(chǎn) 若實現(xiàn)將先于臺積電量產(chǎn)

  • 據(jù)國外媒體報道，在7nm和5nm制程工藝的量產(chǎn)時間上基本能跟上臺積電節(jié)奏的三星電子，在更先進(jìn)的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產(chǎn)，有報道稱他們正推進(jìn)在二季度量產(chǎn)。三星電子在二季度的展望中提到，他們的技術(shù)領(lǐng)先將通過首個大規(guī)模量產(chǎn)的全環(huán)繞柵極晶體管3nm工藝進(jìn)一步加強(qiáng)，他們也將擴(kuò)大供應(yīng)，確保獲得全球客戶新的訂單，包括美國和歐洲客戶的訂單。外媒的報道顯示，三星電子方面已經(jīng)宣布，他們早期3nm級柵極全能（3GAE）工藝將在二季度量產(chǎn)。三星電子宣布的這一消息，也就意味著業(yè)界首個3nm制程工藝即將量產(chǎn)，將是首個采用全
  • 關(guān)鍵字： 三星  3nm  臺積電  

5nm及更先進(jìn)節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能

  • 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團(tuán)在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節(jié)點FinFET設(shè)計的源漏尺寸和側(cè)墻厚
  • 關(guān)鍵字： 泛林  5nm  FinFET  

外媒稱三星3nm工藝良品率可能仍遠(yuǎn)不及預(yù)期 僅10%-20%

  • 據(jù)國外媒體報道，在2月份有報道稱臺積電的3nm工藝遇到良品率難題，可能影響到AMD、英偉達(dá)等部分客戶的產(chǎn)品路線圖之后，又出現(xiàn)了三星電子3nm工藝的良品率遠(yuǎn)不及預(yù)期的消息。韓國媒體的報道顯示，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)，在提升3nm工藝的良品率方面，也陷入了掙扎。另外，三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意，僅為30%-35%。三星電子和臺積電是目前已順利量產(chǎn)5nm工藝，并在推進(jìn)3nm工藝量產(chǎn)事宜的晶圓代工商，與臺積電繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）架構(gòu)不
  • 關(guān)鍵字： 三星  3nm  良品率  

臺積電3nm工廠支援生產(chǎn)：5nm訂單激增

  • 日前，由于蘋果、AMD、聯(lián)發(fā)科等客戶5nm訂單積累太多，臺積電不得不先把3nm工廠臨時拉出來給5nm擴(kuò)產(chǎn)。今年有大量芯片會升級5nm工藝或者改進(jìn)版的4nm工藝，蘋果這邊有M1/M1 Pro/M1 Max，M2系列很快也要量產(chǎn)了，產(chǎn)能需求很高。    除了蘋果這個VVVIP客戶之外，AMD今年也會有5nm Zen4架構(gòu)處理器及5nm RDNA3架構(gòu)GPU芯片，他們也是最重要的5nm工藝客戶之一。聯(lián)發(fā)科今天發(fā)布了天璣8100/8000處理器，也是臺積電5nm工藝，投片量也不低，NVIDIA
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  3nm  5nm  

iPhone 14疑似無緣3nm芯片 或因良率過低

  • 根據(jù)國外媒體tomshardware報道，由于臺積電3nm工藝良率存在問題，蘋果或放棄采用3nm工藝打造新一代A16芯片，這也意味著今年將要發(fā)布的iPhone 14疑似無緣3nm芯片。據(jù)了解，將搭載在iPhone 14上的蘋果A16處理器計劃采用臺積電3nm工藝生產(chǎn)，但是由于臺積電可能需要到2023年Q1季度才能批量交付3nm芯片，因此A16處理器智能轉(zhuǎn)為使用臺積電4nm工藝打造。
  • 關(guān)鍵字： iPhone 14  3nm  良率  

臺積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠

  • 由于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能緊缺，臺積電此前宣布三年內(nèi)投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設(shè)新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購了。據(jù)《財訊》報道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產(chǎn)建設(shè)中都需要的材料。對臺積電來說，一方面它們自己建設(shè)晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們在當(dāng)?shù)啬硞€城市建設(shè)晶圓廠，往往還會
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  3nm  2nm  晶圓廠   

臺積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上

  • 近日，關(guān)于臺積電3nm工藝制程有了新消息，據(jù)外媒digitimes最新報道，半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露，臺積電3納米良率拉升難度飆升，臺積電因此多次修正3納米藍(lán)圖。實際上，隨著晶體管數(shù)量的堆積，內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，3nm工藝制程的良品率確實很難快速提升，達(dá)成比較好的量產(chǎn)水平。因此，臺積電或?qū)⒁?guī)劃包括N3、N3E與N3B等多個不同良率和制程工藝的技術(shù)，以滿足不同廠商的性能需求，正如同去年蘋果在A15上進(jìn)行不同芯片性能閹割一致，即能滿足量產(chǎn)需求，還能平攤制造成本，保持利潤。此外，還有消息稱臺積電將在2023年第一季度開
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  3nm  良率  
共291條 7/20 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 » ›|
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473