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五位半導(dǎo)體行業(yè)專家對(duì)芯片缺陷分析

  • 在圓桌會(huì)議上，半導(dǎo)體工程專家們就“半導(dǎo)體和封裝技術(shù)日益增加的復(fù)雜性將如何推動(dòng)故障分析方法的轉(zhuǎn)變”展開(kāi)了討論，討論嘉賓包括Bruker Nano Surfaces&Metrology應(yīng)用與產(chǎn)品管理主管Frank Chen、Onto Innovation企業(yè)業(yè)務(wù)部產(chǎn)品管理主管Mike McIntyre、Teradyne的ASIC可靠性工程師Kamran Hakim、賽默飛世爾科技高級(jí)產(chǎn)品專家Jake Jensen以及賽默飛世爾科技高級(jí)營(yíng)銷經(jīng)理Paul Kirby。以下是這場(chǎng)討論的精彩摘錄。[從左到右]
  • 關(guān)鍵字： 先進(jìn)封裝，F(xiàn)A  SEM  TEM  

采用模塊化柔性裝配技術(shù)的 CeraLink? 電容器

  • 2018 年 11 月 13 日TDK 株式會(huì)社(東京證券交易所代碼：6762) 推出采用模塊化柔性裝配技術(shù)的 CeraLink FA 類型電容器，進(jìn)一步拓展了成熟的 CeraLink?電容器的產(chǎn)品陣容。新類型電容器采用節(jié)省空間的設(shè)計(jì)，在相同的端子上并聯(lián)了兩個(gè)、三個(gè)甚至十個(gè)完全相同的電容器來(lái)增加容值。CeraLink FA 類型電容器可提供 500V DC、700V DC 和 900V DC 的額定電壓，電容值介于0.5μF 和 10μF 之間，具體視額定電壓和電容器數(shù)量而定。這些基于 PLZT（鋯鈦酸鑭
  • 關(guān)鍵字： TDK  電阻  CeraLink FA   

支持無(wú)鹵素的普通用FG系列和車載用FA系列的開(kāi)發(fā)

  • TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)開(kāi)發(fā)出支持無(wú)鹵素的普通用FG系列和車載用FA系列積層帶導(dǎo)線電容器，并將從2015年4月起開(kāi)始量產(chǎn)。敝社正在推進(jìn)開(kāi)發(fā)環(huán)境負(fù)荷
  • 關(guān)鍵字： FG  FA  車載   

如何在部署TD-LTE網(wǎng)絡(luò)時(shí)選擇最適合的天線

新型FA/D雙頻獨(dú)立電調(diào)天線深度解讀

  • 隨著移動(dòng)寬帶的快速發(fā)展，天線對(duì)網(wǎng)絡(luò)性能乃至用戶體驗(yàn)的影響越來(lái)越大。如何在部署TD-LTE網(wǎng)絡(luò)時(shí)選擇最適合的天線，以保障最佳網(wǎng)絡(luò)性能，進(jìn)而保證用戶體驗(yàn)，是廣大TD-LTE運(yùn)營(yíng)商日益關(guān)注的問(wèn)題。傳統(tǒng)天線在TD-LTE時(shí)代遭
  • 關(guān)鍵字： TD-LTE  天線  FA/D  雙頻  

FA/D雙頻獨(dú)立電調(diào)天線破解TD-LTE天線部署難題

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： FA/D  雙頻獨(dú)立電調(diào)天線  TD-LTE  天線部署  

深度解讀新型FA/D雙頻獨(dú)立電調(diào)天線

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： FA/D雙頻獨(dú)立電調(diào)天線  陣子復(fù)用技術(shù)  

FA/D雙頻獨(dú)立電調(diào)天線

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： FA/D  雙頻獨(dú)立電調(diào)天線  天饋  

高介電常數(shù)柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)

  • 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩 ...
  • 關(guān)鍵字： 高介電  常數(shù)柵  電介質(zhì)/金屬柵極  FA  CMP  

現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)與工廠自動(dòng)化FA

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