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科銳推出新型GaN RF MMIC工藝技術

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50V的G50V3。新的工藝技術增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統技術相比，能夠實現更小尺寸裸芯片和更緊湊、更高效率放大器。
  • 關鍵字： 科銳  無線射頻  G50V3  
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g50v3介紹

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