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如何提高G652D光纖宏彎損耗測(cè)試效率

  • 光纖宏彎損耗測(cè)試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB。而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈
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G652D光纖宏彎損耗測(cè)試方法

  • 　　光纖宏彎損耗測(cè)試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB。　　而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代
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