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GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

  • Abstract— 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時(shí)fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
  • 關(guān)鍵字： DHBT  技術(shù)  集成電路  晶體管  異質(zhì)  雙極  GaAsSb  
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