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日本礙子開發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓

  • 　　日本礙子稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結(jié)晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。 　　日本礙子在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗，結(jié)果表明，該LED元件的內(nèi)部量子效率達到約90%(注入電流200mA時)。據(jù)日本礙子介紹，市售LED元件的內(nèi)部量子效率為30～40%(注入電流200mA時)，照此計算，利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內(nèi)部量子效率提
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