日本礙子開發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓

　　日本礙子稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結(jié)晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。

　　日本礙子在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗，結(jié)果表明，該LED元件的內(nèi)部量子效率達(dá)到約90%(注入電流200mA時)。據(jù)日本礙子介紹，市售LED元件的內(nèi)部量子效率為30～40%(注入電流200mA時)，照此計算，利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內(nèi)部量子效率提高了1倍以上，這樣便可使發(fā)光效率達(dá)到市售LED光源的2倍(200lm/W)，將耗電量降低50%并抑制發(fā)熱，從而實現(xiàn)照明器具的長壽命化及小型化。

　　日本礙子2012年度設(shè)立了“晶圓項目”，以促使晶圓相關(guān)產(chǎn)品實現(xiàn)商品化。今后還預(yù)定于2012年內(nèi)開始樣品供貨世界首款以液相生長法制造的直徑4英寸的GaN晶圓。該公司將瞄準(zhǔn)以混合動力車及電動汽車的功率器件以及無線通信基站的功率放大器為對象的晶圓市場，為進一步降低缺陷密度并加大口徑(直徑6英寸)繼續(xù)推進開發(fā)。

　　發(fā)光試驗中的LED元件。基板尺寸：1cm見方，元件尺寸：0.3mm見方，注入電流：約200mA，中心波長：450nm(照片由日本礙子提供)