high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓

據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處
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英特爾：首批兩臺(tái)High-NA EUV 設(shè)備已投產(chǎn)

英特爾24日表示，ASML首批的兩臺(tái)先進(jìn)曝光機(jī)已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機(jī)型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機(jī)一季內(nèi)生產(chǎn) 3 萬(wàn)片晶圓，即生產(chǎn)數(shù)千顆運(yùn)算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設(shè)備的芯片制造商，與之前ASML設(shè)備相比，這些機(jī)器可望制造出更小、更快的運(yùn)算芯片。此舉是英特爾策略轉(zhuǎn)變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機(jī)時(shí)落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。英特爾花了七年才將之前機(jī)器全面投產(chǎn)，導(dǎo)致領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)被臺(tái)積電超越。生產(chǎn)
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英特爾拿到的ASML高數(shù)值孔徑EUV已投入生產(chǎn)

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》25日訊，英特爾周一表示，去年率業(yè)界之先接收的兩臺(tái)ASML高數(shù)值孔徑極紫外光EUV已投入生產(chǎn)。英特爾資深總工程師卡森表示，ASML這兩臺(tái)尖端機(jī)器已生產(chǎn)了3萬(wàn)片晶圓。
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EUV光刻，新的對(duì)手

最近，美國(guó)勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（LLNL）宣布開(kāi)發(fā)出了一種名稱為大孔徑銩（BAT）激光器，這種激光器比現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn) CO2 激光器將 EUV 光源提高約 10 倍。這一進(jìn)步，可能為新一代「超越 EUV」的光刻系統(tǒng)鋪平道路，從而生產(chǎn)出更小、更強(qiáng)大、制造速度更快、同時(shí)耗電量更少的芯片。簡(jiǎn)而言之，美國(guó)開(kāi)發(fā)的新一代 BAT 激光器，遠(yuǎn)超現(xiàn)在的 EUV 光刻，能夠?qū)⑿侍嵘?10 倍。EUV 光刻有多強(qiáng)？目前來(lái)看，沒(méi)有 EUV 光刻，業(yè)界就無(wú)法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最
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納米壓印光刻技術(shù)旨在挑戰(zhàn)EUV

9 月，佳能推出了這項(xiàng)技術(shù)的第一個(gè)商業(yè)版本，有朝一日可能會(huì)顛覆最先進(jìn)的硅芯片的制造。它被稱為納米壓印光刻（NIL），能夠?qū)π≈?14 納米的電路特征進(jìn)行圖案化，使邏輯芯片能夠與目前正在量產(chǎn)的 Intel、AMD 和 Nvidia 處理器相媲美。NIL 系統(tǒng)提供的優(yōu)勢(shì)可能會(huì)挑戰(zhàn)價(jià)值 1.5 億美元的機(jī)器，這些機(jī)器在當(dāng)今先進(jìn)的芯片制造中占據(jù)主導(dǎo)地位，即極紫外（EUV）光刻掃描儀。如果佳能是正確的，其機(jī)器最終將以極低的成本提供 EUV 質(zhì)量的芯片。該公司的方法與 EUV 系統(tǒng)完全不同，后者完全由總部位于荷
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中芯沒(méi)EUV是好事？外媒爆自產(chǎn)DUV大突破

荷蘭芯片設(shè)備制造巨擘ASML執(zhí)行長(zhǎng)?？耍–hristophe Fouquet）表示，盡管中國(guó)大陸企業(yè)如中芯國(guó)際近年來(lái)在半導(dǎo)體領(lǐng)域有顯著進(jìn)展，但由于無(wú)法取得最先進(jìn)的極紫外光微影設(shè)備（EUV），芯片制程技術(shù)仍落后臺(tái)積電、三星等代工龍頭約10至15年。Tom's Hardware報(bào)導(dǎo)，?？私邮芎商m《鹿特丹商報(bào)》（NRC）采訪時(shí)指出，中芯國(guó)際和華為僅使用深紫外光曝光設(shè)備（DUV），在成本效益上無(wú)法與臺(tái)積電的制程技術(shù)相提并論。他認(rèn)為，美國(guó)政府祭出的禁止EUV出口中國(guó)大陸禁令確實(shí)有效，讓中國(guó)落后西方約15 年
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移遠(yuǎn)通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證

近日，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應(yīng)商移遠(yuǎn)通信宣布，其旗下符合3GPP R17標(biāo)準(zhǔn)的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過(guò)了北美兩家重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢(shì)，該模組可滿足CPE、家庭/企業(yè)網(wǎng)關(guān)、移動(dòng)熱點(diǎn)、高清視頻直播等FWA應(yīng)用對(duì)高速、穩(wěn)定5G網(wǎng)絡(luò)的需求。移遠(yuǎn)通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證此前，RG650V系列已通過(guò)了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認(rèn)證，此次再獲北美兩項(xiàng)認(rèn)證，表明該模組已全面取得北美運(yùn)營(yíng)商的認(rèn)可，標(biāo)志著搭
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ASML凈銷售額75億歐元，凈利潤(rùn)為21億歐元，預(yù)計(jì)2024年全年凈銷售額約為280億歐元

阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財(cái)報(bào)。2024年第三季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤(rùn)達(dá)21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計(jì)2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預(yù)計(jì)，2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財(cái)報(bào)一覽（除非特別說(shuō)明，數(shù)字均以百萬(wàn)歐元
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英特爾計(jì)劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心

IT之家 9 月 3 日消息，日經(jīng)報(bào)道稱，英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設(shè)施將在三到五年內(nèi)建成，配備極紫外線光刻（EUV）設(shè)備。▲ 圖源：英特爾設(shè)備制造商和材料公司將付費(fèi)使用該設(shè)施進(jìn)行原型設(shè)計(jì)和測(cè)試。據(jù)介紹，這將是日本第一個(gè)行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設(shè)備的中心。IT之家查詢獲悉，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所隸屬經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省，是日本一家設(shè)法使用集成科學(xué)和工程知識(shí)來(lái)解決日本社會(huì)和經(jīng)濟(jì)發(fā)展需要的研究機(jī)構(gòu)，總部位于東京，2001 年成為獨(dú)立行政機(jī)構(gòu)的一個(gè)新設(shè)計(jì)的法律機(jī)構(gòu)。
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世，大幅降本增效

日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)設(shè)計(jì)了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限。
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臺(tái)積電不用當(dāng)盤子了？日本開(kāi)發(fā)出更便宜EUV 撼動(dòng)芯片業(yè)

荷商艾司摩爾（ASML）是半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，臺(tái)積電等龍頭公司制造先進(jìn)芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機(jī)（EUV），根據(jù)《Tom's Hardware》報(bào)導(dǎo)，日本科學(xué)家已開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報(bào)導(dǎo)指出，沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡(jiǎn)化的EUV曝光機(jī)，相比ASML開(kāi)發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關(guān)注的是，新系統(tǒng)在光學(xué)投影設(shè)定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)

8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
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ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來(lái)新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過(guò)
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臺(tái)積電：仍在評(píng)估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定

IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報(bào)》昨日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對(duì)此，臺(tái)積電海外營(yíng)運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，仍在評(píng)估 High NA EUV 應(yīng)用于未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時(shí)間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺(tái)積電交付首臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值達(dá) 3.8
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