high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國(guó)廠商公布新專利

近日，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專利，專利申請(qǐng)?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對(duì)HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過(guò)不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

　　本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。　　一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！　∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)

近期，全球半導(dǎo)體龍頭設(shè)備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財(cái)報(bào)，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤(rùn)均超出市場(chǎng)預(yù)期，其新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀(jì)錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)；泛林方面，當(dāng)季公司營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設(shè)備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)10月19日，光刻機(jī)大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營(yíng)收同比增長(zhǎng)10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預(yù)
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半導(dǎo)體廠倚重EUV 先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求

微影設(shè)備業(yè)者ASML第一季已完成136臺(tái)極紫外光（EUV）曝光機(jī)出貨，累計(jì)超過(guò)7,000萬(wàn)片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術(shù)推進(jìn)，預(yù)期2025年之后新一代EUV曝光機(jī)每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達(dá)220片以上，以因應(yīng)客戶端先進(jìn)制程推進(jìn)至埃米（Angstrom）世代對(duì)先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求。雖然2023年半導(dǎo)體市況能見度低且不確定性高，但包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導(dǎo)體廠仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進(jìn)會(huì)帶動(dòng)光罩層數(shù)增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準(zhǔn)、意德士（等EUV概念股明年?duì)I運(yùn)將
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荷蘭光刻機(jī)巨頭大舉增加在華員工背后有什么深意？

在美國(guó)拼命打壓中國(guó)之際，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML卻相反，根據(jù)該公司透露的消息，ASML今年將在中國(guó)招聘200多名員工，以跟上中國(guó)的增長(zhǎng)步伐，這意味著ASML 在華員工人數(shù)已超過(guò) 1500 人，占ASML公司全球員工的14%。那么，ASML到底想干什么呢？首先，ASML公司是想賺錢，雖然臺(tái)積電、三星等買去了荷蘭ASML公司的大部分EUV光刻機(jī)，但ASML公司可以在中國(guó)銷售DUV等光刻機(jī)。而且，2021年ASML的第一大客戶就是中國(guó)大陸芯片企業(yè)，中國(guó)大陸芯片企業(yè)為ASML貢獻(xiàn)了超過(guò)290億美元，而中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)
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泛林集團(tuán)、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)

泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項(xiàng)戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對(duì)未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將有助于從機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能到移動(dòng)設(shè)備所有這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。? ? ? ? ? ? ?
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卡脖子也沒用國(guó)內(nèi)廠商芯片新技術(shù)繞過(guò)EUV光刻機(jī)

毫無(wú)疑問，如今國(guó)內(nèi)芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機(jī)，不過(guò)EUV光刻機(jī)是研制先進(jìn)芯片的一條路徑，但并非唯一解。對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說(shuō)，當(dāng)前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因?yàn)椴恍枰狤UV機(jī)器，從而找到了技術(shù)追趕的機(jī)會(huì)。而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來(lái)自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過(guò)EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構(gòu)問世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F2 DRA
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機(jī)最新進(jìn)展：目標(biāo) 2024-2025 年進(jìn)廠

5 月 29 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時(shí)間來(lái)準(zhǔn)備極紫外線 (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會(huì)比這更快。目前，最先進(jìn)的芯片是 4/5 納米級(jí)工藝，下半年三星和臺(tái)積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對(duì)于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來(lái)看，這種分辨率尺寸對(duì)于 7 nm / 6 nm 節(jié)點(diǎn) (36 nm ~ 38 nm)
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨(dú)顯

　　Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構(gòu)設(shè)計(jì)，今年的13代酷睿代號(hào)Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進(jìn)版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會(huì)大改，升級(jí)Intel 4工藝，也是Intel首個(gè)EUV工藝。　　14代酷睿的架構(gòu)也會(huì)大改，第一次采用非單一芯片設(shè)計(jì)，彈性集成多個(gè)小芯片模塊，包括下一代混合架構(gòu)CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！　?4代酷睿Meteor Lake也會(huì)是Intel酷睿系列中首個(gè)大量使用3D Foveros混合封
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應(yīng)用材料推出運(yùn)用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)

半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運(yùn)用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過(guò)兩個(gè)可相互搭配的途徑來(lái)增加未來(lái)幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來(lái)增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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ASML公司開撕美國(guó)？光源技術(shù)不是根源，不交付EUV光刻機(jī)另有原因

ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國(guó)。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī)。然而，ASML公司卻遲遲沒有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，而一部EUV光刻機(jī)上就有超過(guò)10w的精密零件，各方面的技術(shù)也是來(lái)自全世界各國(guó)的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機(jī)一直是供不應(yīng)求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機(jī)，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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俄羅斯投資6.7億盧布，開發(fā)新型的光刻機(jī)，性能或?qū)⒊紼UV光刻機(jī)

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雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復(fù)生產(chǎn)

通用汽車(GM)已經(jīng)恢復(fù)了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現(xiàn)在它們可以獲得新電池組的供應(yīng)，而這些電池組應(yīng)該不會(huì)有火災(zāi)隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災(zāi)而被召回，該次召回影響到了所有的車型，導(dǎo)致Bolt EV和EUV汽車的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結(jié)?！拔覀兊哪繕?biāo)是恢復(fù)并坦率地說(shuō)超過(guò)業(yè)務(wù)指標(biāo)，”雪佛蘭營(yíng)銷副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話會(huì)議上說(shuō)道。Bolt的復(fù)出計(jì)劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開始）、將在MLB開幕日投放的新電視
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