high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

KLA-Tencor 快速有效解決客戶良率問題與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)

　　看好中國半導(dǎo)體行業(yè)未來持續(xù)的蓬勃發(fā)展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)技術(shù)，以最快的速度及最有效的方式，幫助客戶解決在生產(chǎn)時(shí)面對(duì)的良率問題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶一起提升良率，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，并與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)?！　LA-Tencor中國區(qū)總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現(xiàn)于全球17國擁有6000多位員工。2016財(cái)年，KLA-Tencor營收表現(xiàn)來到30億美元。從硅片檢
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半導(dǎo)體押寶EUV ASML突破瓶頸預(yù)計(jì)2018年可用于量產(chǎn)

　　摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問世以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進(jìn)發(fā)展，過去數(shù)十年來包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續(xù)的突破，才得以讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn)，進(jìn)而帶動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)前進(jìn)。　　但為延續(xù)產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展，光是依賴于傳統(tǒng)微影技術(shù)仍不夠，因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革，即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù)，該技術(shù)也成為臺(tái)積電、英特爾(Intel)等
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何

　　ASML宣稱它的Q2收到4臺(tái)EUV訂單，預(yù)期明年EUV發(fā)貨達(dá)10臺(tái)以上。　　EUV光刻設(shè)備一再延遲，而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn)，而非?？赡軕?yīng)用在5nm節(jié)點(diǎn)。　　業(yè)界預(yù)測(cè)未來在1znm的存儲(chǔ)器生產(chǎn)中可能會(huì)有2層或者以上層會(huì)采用它，及在最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì)有6-9層會(huì)使用它。　　ASML計(jì)劃2018年時(shí)它的EUV設(shè)備的產(chǎn)能再擴(kuò)大一倍達(dá)到年產(chǎn)24臺(tái)，每臺(tái)售價(jià)約1億美元，目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺(tái)，正在作各種測(cè)試。　　半導(dǎo)體顧問公司的分析師Ro
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重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族成大勢(shì)所趨

　　英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時(shí)程，也讓業(yè)界及市場(chǎng)質(zhì)疑：摩爾定律是否已達(dá)極限?不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時(shí)代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV)，以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。　　摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺(tái)積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
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EUV微影技術(shù)準(zhǔn)備好了嗎？

　　又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了。縱觀整個(gè)半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對(duì)EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。　　到了下一代的10nm節(jié)點(diǎn)，降低每電晶體成本將會(huì)變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點(diǎn)時(shí)導(dǎo)入EUV微影。更進(jìn)一步來看，當(dāng)擴(kuò)展到超越5nm節(jié)點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。　　目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長(zhǎng)久以來一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會(huì)成為一個(gè)昂貴的半節(jié)點(diǎn)。　　不過，研究人
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臺(tái)積電采購EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代

按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度，幾乎可以預(yù)見的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實(shí)際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術(shù)上能實(shí)現(xiàn)，在商業(yè)上來看也不能算是理性的選擇。
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2016年EUV降臨半導(dǎo)體格局生變

　ASML公司第3代極紫外光(EUV)設(shè)備已出貨6臺(tái)。這預(yù)示著預(yù)示了全球兩家頂級(jí)大廠未來采用EUV光刻技術(shù)，在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項(xiàng)中幾乎同步，或者說臺(tái)積電在10nm時(shí)順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
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EUV將在7納米節(jié)點(diǎn)發(fā)威？

　　核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點(diǎn)因?yàn)闊o法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測(cè)系統(tǒng)

　　KLA-Tencor 公司(納斯達(dá)克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評(píng)估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測(cè)影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長(zhǎng)或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗(yàn)
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EUV遭受新挫折半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎

當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到10nm水平時(shí)，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實(shí)用的思路來進(jìn)一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律

　　據(jù)美國科技博客Business Insider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。　　摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。　　在幾十年來，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強(qiáng)大，節(jié)省了更
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ASML提升新EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)生產(chǎn)效率

　　微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每小時(shí)晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計(jì)2013年底前，可達(dá)到80瓦的目標(biāo)，2015年達(dá)250瓦、每小時(shí)產(chǎn)出125片。　　半導(dǎo)體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長(zhǎng)，成本會(huì)大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

　　極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)。　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對(duì)相關(guān)設(shè)備的開發(fā)計(jì)劃仍抱持觀望態(tài)度。　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)

　　5月7日消息，全球代工市場(chǎng)規(guī)模繼2011年增長(zhǎng)7%，達(dá)328億美元之后，2012年再度增長(zhǎng)16%，達(dá)到393億美元，預(yù)計(jì)2013年還將有14%的增長(zhǎng)。　　臺(tái)積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺(tái)積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺(tái)積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺(tái)積電。　　
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Intel：14nm進(jìn)展順利一兩年后量產(chǎn)

　　Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。　　而從2015年開始，Intel又會(huì)陸續(xù)進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點(diǎn)。　　Rattner指出，Intel
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