high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

拚不過對(duì)手　英特爾放棄搶推EUV？

　　引領(lǐng)技術(shù)開發(fā)的少數(shù)芯片制造商認(rèn)定，極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導(dǎo)體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn)，但才剛失去全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續(xù)努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開始發(fā)展EUV的IC廠商。　　曾是電子工程師的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)入EUV，該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時(shí)會(huì)用上EUV更是個(gè)大問題?！　≡诖送瑫r(shí)，三星(S
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Entegris EUV 1010光罩盒展現(xiàn)極低的缺陷率，已獲ASML認(rèn)證

　　業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達(dá)克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設(shè)備制造商之一的ASML密切合作而開發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認(rèn)證，用于NXE:3400B等產(chǎn)品。　　隨著半導(dǎo)體行業(yè)開始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM)，對(duì)EUV光罩無(wú)缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴(yán)格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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李在镕正式回歸，三星半導(dǎo)體是否大舉投資引關(guān)注

先前李在镕涉入政治關(guān)說(shuō)丑聞的負(fù)面影響尚未完全消除，設(shè)法恢復(fù)各界對(duì)三星的信賴也是李在镕須解決的課題。
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EUV、3nm、GAA首次亮相，三星晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)

　　為進(jìn)一步提升在中國(guó)市場(chǎng)晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，6月14日，三星電子在中國(guó)上海召開 “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，這是SFF首次在中國(guó)舉行，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力可見一斑?！　”敬握搲?，三星電子晶圓代工事業(yè)部戰(zhàn)略市場(chǎng)部部長(zhǎng)、副社長(zhǎng)裵永昌帶領(lǐng)主要管理團(tuán)隊(duì)，介紹了晶圓代工事業(yè)部升級(jí)為獨(dú)立業(yè)務(wù)部門一年來(lái)的發(fā)展成果，以及未來(lái)發(fā)展路線圖和服務(wù)，首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構(gòu)造與EUV曝光技術(shù)的使用計(jì)劃，以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線圖，
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進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)，臺(tái)積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)

　　聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號(hào)為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現(xiàn)身市場(chǎng)的動(dòng)作，臺(tái)面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)作熱身，但臺(tái)面下，已決定采用臺(tái)積電7納米EUV制程技術(shù)設(shè)計(jì)量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺(tái)積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能，同時(shí)向蘋果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺(tái)積電7納米制程技術(shù)猶疑之間，聯(lián)發(fā)科已先一步表達(dá)忠誠(chéng)，而面對(duì)高通、蘋果專利訟訴
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī) 如何躲過《瓦森納協(xié)定》的？

　　據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱，中國(guó)芯片加工企業(yè)中芯國(guó)際(SMIC)向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購(gòu)了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV(極紫外線)光刻機(jī)，價(jià)值1.2億美元。目前，業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識(shí)，必須使用EUV光刻機(jī)才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm，甚至5nm時(shí)代。今天，中芯國(guó)際方面對(duì)觀察者網(wǎng)表示，對(duì)此事不做評(píng)論?！　∠⒎Q，這臺(tái)幾乎相當(dāng)于中芯國(guó)際去年全部?jī)衾麧?rùn)的設(shè)備，將于2019年前交付?！　SML發(fā)言人對(duì)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》表示，該企業(yè)對(duì)包括中國(guó)客戶在內(nèi)
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī),后續(xù)還得解決這些問題…

　　據(jù)知情人士透露，中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。　　中芯國(guó)際的首臺(tái)EUV設(shè)備購(gòu)自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML，價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國(guó)本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在購(gòu)買該設(shè)備，以確保
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2019年換機(jī)指南：手機(jī)芯片的重磅升級(jí)！

種種跡象表明，2018年將是移動(dòng)處理器、半導(dǎo)體等行業(yè)迎來(lái)轉(zhuǎn)折的一年，多種技術(shù)經(jīng)歷多年沉淀后會(huì)在今年完成應(yīng)用，然后在2019年爆發(fā)。
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可穿戴與IoT用DC/DC：如何實(shí)現(xiàn)納安級(jí)消耗電流？　

可穿戴等市場(chǎng)發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字：可穿戴 DC/DC 降壓型輕載 nA 201804

ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國(guó)EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰(zhàn)

　　載具對(duì)于曝光機(jī)發(fā)揮保護(hù)、運(yùn)送和存儲(chǔ)光罩等功能十分重要。家登精密多年來(lái)致力于研究曝光機(jī)載具，并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。　　我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級(jí)，EUV的重要性逐漸凸顯出來(lái)，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過去幾年，家登精密一直專心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，這是一個(gè)值得自豪的成績(jī)。未來(lái)，7nm工藝逐漸向5nm升級(jí)，技術(shù)的研究會(huì)越來(lái)越困難
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三星7nm EUV工廠破土動(dòng)工：新驍龍將在這里誕生

2017年，三星在半導(dǎo)體事業(yè)中的投資達(dá)到了260億美元，創(chuàng)下歷史新高，這主要得益于其存儲(chǔ)芯片的巨大需求。
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臺(tái)積電要出售？張忠謀：不慌，價(jià)好就賣

在前段時(shí)間，臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀在即將退休的時(shí)候卻意外表示，其實(shí)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的企業(yè)本來(lái)就不應(yīng)該死守，假如價(jià)錢夠好把臺(tái)積電賣掉也無(wú)妨。
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日媒：三星最高利潤(rùn)背后的危機(jī)感

　　韓國(guó)三星電子2017財(cái)年(截至2017年12月)合并營(yíng)業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)下歷史新高，但其危機(jī)感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)83%，其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬(wàn)億日元，顯著依賴市場(chǎng)行情，因此危機(jī)感增強(qiáng)。3大主要部門面臨著半導(dǎo)體增長(zhǎng)放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)導(dǎo)下，將智能手機(jī)和電視機(jī)的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財(cái)年將成為試金石。　　三星整體的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為53.65萬(wàn)億韓元，時(shí)隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中，半導(dǎo)體部門的服務(wù)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)銷量堅(jiān)挺，
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EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰(zhàn)

　　EUV微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。不過，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。　　極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。不過，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì)(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
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4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET

　　晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來(lái)似乎較占上風(fēng)。　　Android Authority報(bào)導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來(lái)到極限，無(wú)法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長(zhǎng)更短的EUV，才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì)率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競(jìng)
關(guān)鍵字： 4nm EUV