首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> high na euv

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作

  • 一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關(guān)鍵字： 制作  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法

  • 一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關(guān)鍵字： 制作方法  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

  • 而關(guān)于臺積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認(rèn)為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計(jì)今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預(yù)估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費(fèi)用。
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  EUV  

安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 安森美  ADS  High-QIPD  高電阻率  硅銅  

如何制作High-end A4監(jiān)聽音箱

  • 一、設(shè)計(jì)及制作
    由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
    no＝knmiddot;f33middot;VB
    上式中，k
  • 關(guān)鍵字： 監(jiān)聽  音箱  A4  High-end  制作  如何  

IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
  • 關(guān)鍵字： EUV  晶圓  

MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度

  • 　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
  • 關(guān)鍵字： 光刻  EUV  

光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

  • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。 　　
  • 關(guān)鍵字： GlobalFoundries  EUV  

英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯(cuò)失良機(jī)

  • 　　英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  EUV  

通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 　　當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因?yàn)殡S著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個(gè)挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： EUV  節(jié)點(diǎn)技術(shù)  

次世代微影技術(shù)主流之爭　

  • 　　目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進(jìn)入量產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 微影技術(shù)  EUV  

Derive simple high-current source from lab sup

  • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
  • 關(guān)鍵字： high-current  Derive  simple  source    

GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

  • 　　繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時(shí)間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計(jì)于2012年下半將機(jī)臺導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機(jī)臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機(jī)臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  EUV  晶圓代工  

制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

  • 一、設(shè)計(jì)及制作
    由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
    no＝kn?f33?VB
    上式中，kn是箱體系數(shù)，
  • 關(guān)鍵字： 音箱  方法  監(jiān)聽  A4  High-end  制作  

英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米

  • 　　英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。 　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 　　   　　在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機(jī)設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時(shí),進(jìn)入量產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  11納米  EUV  
共207條 13/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

high na euv介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條high na euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high na euv的理解，并與今后在此搜索high na euv的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473