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Numonyx與Intel在相變存儲研究中取得關(guān)鍵性突破

  • 　　相變存儲 (PCM) 是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測試芯片，對于隨機存取非易失性存儲器及存儲應(yīng)用而言，這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲裝置。 　　上述發(fā)現(xiàn)是 Numonyx 與 Intel 長久以來共同進行的一項研究計劃的成果，該計劃的目的著重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。
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英特爾與恒憶公布突破性相變存儲器技術(shù)研究成果

  • 　　英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項突破性的相變存儲器(PCM)研究成果，這種新的非易失性存儲器技術(shù)結(jié)合了目前各種存儲器的優(yōu)勢。研究人員首次展示了能夠在單個硅片上堆疊或放置多個PCM陣列層的64Mb測試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲器設(shè)備鋪平了道路，能夠為隨機存取非易失性存儲器和存儲應(yīng)用降低所占用的空間。 　　這項成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開發(fā)，雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現(xiàn)在能夠展示垂直集成的存儲器單元PCMS(
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