powerflat 文章 進入powerflat技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求,同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。 MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進的超結(jié)晶體管技術(shù),取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外,這些產(chǎn)品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET PowerFLAT
共1條 1/1 1 |
powerflat介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條powerflat!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對powerflat的理解,并與今后在此搜索powerflat的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對powerflat的理解,并與今后在此搜索powerflat的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473