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采用Saifun NROM技術(shù)中芯國際進(jìn)軍閃存

  • 　　中芯國際與Saifun半導(dǎo)體日前共同宣布，中芯國際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。 　　Saifun的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節(jié)，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。 　　“閃存存儲卡市場對于我們未來的發(fā)展而言是一個重要的驅(qū)動力，”中芯國際首席營運(yùn)官M(fèi)arco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協(xié)議中，我們將Saifun先進(jìn)的技術(shù)和中
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中芯國際與SAIFUN拓展NROM技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議

  • 中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱“中芯國際”，紐約交易所：SMI；香港聯(lián)交所：981）和SAIFUN半導(dǎo)體，為非易失內(nèi)存技術(shù)（NVM）市場提供智能產(chǎn)權(quán)（IP）解決方案的供貨商，今天共同宣布中芯國際將采用SAIFUN的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。 SAIFUN的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節(jié)，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。 “中芯國際認(rèn)為閃存存儲卡市場對于我
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Saifun 推出業(yè)界首個2Mb 串行EEPROM

  • 非揮發(fā)性存儲技術(shù)及元件供應(yīng)商Saifun Semiconductors宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其高密度EEPROM產(chǎn)品系列的陣容，推出全新SA25C020 2Mb SPI EEPROM，是業(yè)界首個結(jié)合小型SO8封裝、低功耗和高性能特點(diǎn)的器件。Saifun的串行EEPROM產(chǎn)品專為需要高耐用性和低功耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)和測試，針對持續(xù)可靠的非揮發(fā)性存儲方案。2M EEPROM推出的價(jià)位接近閃存 (Flash)，加上其節(jié)省空間的封裝形式，將有助于新應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)，如硬盤、光盤 (包括DVD)、機(jī)頂盒、打印機(jī)、游戲卡，以及無線產(chǎn)品
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