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美高森美宣布推出專(zhuān)門(mén)用于SiC MOSFET技術(shù)的 極低電感SP6LI封裝 實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率和高效率

  • 　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布專(zhuān)門(mén)用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專(zhuān)為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)紐倫堡展覽中心舉行的PCIM 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模塊，以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列
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