首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> si8851edb

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

  • 2013 年 12 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  Si8851EDB  導(dǎo)通電阻  
共1條 1/1 1

si8851edb介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條si8851edb!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)si8851edb的理解,并與今后在此搜索si8851edb的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473