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1.77億美元，安世半導(dǎo)體脫手英國最大晶圓廠

  • 在英國晶圓廠 Newport Wafer Fab（NWF）收購案按下回退鍵一年后，聞泰科技被迫出售了 NWF 母公司 NEPTUNE 6 LIMITED100% 股權(quán)。11 月 8 日晚間，聞泰科技公告，全資子公司 Nexperia B.V.（下稱「安世半導(dǎo)體」）擬轉(zhuǎn)讓 NEPTUNE 6 LIMITED 的 100% 股權(quán)，受讓方為紐交所上市公司 Vishay 的全資子公司 Siliconix，交易金額基礎(chǔ)值為 1.77 億美元（含安世半導(dǎo)體對標(biāo)的公司的債權(quán)）。聞泰科技稱，向 Siliconix 出售
  • 關(guān)鍵字： 安世半導(dǎo)體  Siliconix  

Vishay Siliconix推出CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn)，可用于高速、高精度開關(guān)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix  CMOS  DG9236  DG9251  

Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。 　　 ? 　　與前一代S系列器件相比，新的
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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。 　　
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