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可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路

電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：電路定時(shí) C-MOS 時(shí)間設(shè)定

矢量網(wǎng)絡(luò)分析方案－以獨(dú)特的設(shè)計(jì)滿足網(wǎng)絡(luò)分析測(cè)量的需要

　　Rohde & Schwarz公司的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀系列產(chǎn)品ZVA/ZVT為用戶提供全面的矢量網(wǎng)絡(luò)分析功能。　　脈沖S參數(shù)測(cè)量　　ZVA提供了全套的脈沖S參數(shù)測(cè)量功能，包括了平均脈沖測(cè)量 (Average Pulse) 、脈內(nèi)點(diǎn)測(cè)量 (Point in Pulse) 及脈沖包絡(luò)測(cè)量 (Pulse Profile) 。ZVA提供了獨(dú)特的高選擇性中頻濾波器技術(shù) (High Selective Filter) ，避免了在平均脈沖測(cè)量中譜域調(diào)零的過(guò)程。ZVA提供了30 MHz的中頻帶寬，12.5
關(guān)鍵字： R&S 國(guó)防電子展測(cè)試測(cè)量

S-Touch電容式觸摸控制器PCB布局指南

　　PCB設(shè)計(jì)與布局　　在結(jié)構(gòu)為兩層的PCB中，S-Touch觸摸控制器和其他部件被布設(shè)在PCB的底層，傳感器電極被布設(shè)在PCB的頂層。　　每個(gè)傳感器通道所需的調(diào)諧匹配電容器可以直接布設(shè)在該傳感器電極的底層。需要指出的是，S-Touch觸摸控制器布設(shè)在底層，應(yīng)該保證其對(duì)應(yīng)的頂層沒(méi)有布設(shè)任何傳感器電極。頂層和底層的空白區(qū)域可填充網(wǎng)狀接地銅箔。　　設(shè)計(jì)規(guī)則　　第1層(頂層) 　　● 傳感器電極位于PCB的頂層(PCB的上端與覆層板固定在一起)。為提高靈敏度，建議使用尺寸為10×
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AES算法中S-box和列混合單元的優(yōu)化及FPGA技術(shù)實(shí)現(xiàn)

AES算法中S-box和列混合單元的優(yōu)化及FPGA技術(shù)實(shí)現(xiàn),1 S-box的優(yōu)化設(shè)計(jì)

在AES標(biāo)準(zhǔn)算法中定義了兩個(gè)較大的列表。S-box和逆S-box。將S-box用于兩個(gè)應(yīng)用：字節(jié)替代和密鑰擴(kuò)展。而逆S-box則用于逆字節(jié)替代。這兩個(gè)列表是不相同的，因此必須建立兩個(gè)不同的ROM(256×8 b)，
關(guān)鍵字： FPGA 技術(shù) 實(shí)現(xiàn) 優(yōu)化單元算法 S-box 混合 AES

移動(dòng)倡議綠色無(wú)線接入 C-RAN體現(xiàn)5大優(yōu)勢(shì)

2010年4月23日，由中國(guó)移動(dòng)研究院主辦的無(wú)線接入網(wǎng)綠色演進(jìn)（C-RAN）國(guó)際研討會(huì)在北京舉行。中國(guó)移動(dòng)研究院副院長(zhǎng)...
關(guān)鍵字： C-RAN

根據(jù)μc/Os-Ⅱ就緒表算法在ARM架構(gòu)上的改動(dòng)

根據(jù)μc/Os-Ⅱ就緒表算法在ARM架構(gòu)上的改動(dòng), μc／Os-Ⅱ的就緒表設(shè)置、清除、查找算法，是高效的、跨平臺(tái)的程序。它使用了兩個(gè)查找數(shù)組OSMapTbl[8]和OSUnMapTbl[256]，以提高查找就緒表的速度，盡快獲取就緒任務(wù)的最高優(yōu)先級(jí)。　　Cortex-M3是ARM公司較新的一
關(guān)鍵字：架構(gòu) 改動(dòng) ARM 算法 c/Os- 就緒根據(jù)

μc/Os-Ⅱ就緒表算法在ARM架構(gòu)上的改動(dòng)

μc/Os-Ⅱ就緒表算法在ARM架構(gòu)上的改動(dòng),　Cortex-M3推出時(shí)，筆者就認(rèn)定它是單片機(jī)過(guò)渡到ARM的有力工具，其小存儲(chǔ)量使得它更適合用小型實(shí)時(shí)系統(tǒng)。在學(xué)習(xí)μC／OS-Ⅱ的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)其就緒表操作算法經(jīng)過(guò)改動(dòng)或許更好，于是就做了本文所述的試驗(yàn)。
關(guān)鍵字：架構(gòu) 改動(dòng) ARM 算法就緒 c/Os-

R&S將在國(guó)際電磁兼容技術(shù)交流展覽會(huì)上展示其領(lǐng)先的測(cè)試解決方案

　　在2010年4月13至15日北京國(guó)際會(huì)議中心舉辦的第十五屆國(guó)際電磁兼容技術(shù)交流展覽會(huì)上，R&S公司將展示其全面領(lǐng)先的射頻微波與電磁兼容的測(cè)試解決方案。　　羅德與施瓦茨公司作為世界頂級(jí)的EMC測(cè)試儀器、測(cè)試系統(tǒng)及方案供應(yīng)商，提供全兼容的軍標(biāo)、民標(biāo)測(cè)試系統(tǒng)，簡(jiǎn)單的診斷測(cè)試系統(tǒng)，以及產(chǎn)品EMC不同階段的測(cè)試儀表和附屬設(shè)備，滿足各種不同層次的客戶需求;還可以提供EMF電磁環(huán)境測(cè)試系統(tǒng)R&S®TS-EMF, 覆蓋9 kHz至6 GHz的電磁環(huán)境的自動(dòng)測(cè)試。　　在此次展會(huì)上，R&a
關(guān)鍵字： R&S 測(cè)試電磁兼容 EMC

R&S推出首臺(tái)高達(dá)67 GHz的四端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀

　　羅德與施瓦茨公司的高端矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 R&S ZVA67現(xiàn)可提供4端口的型號(hào)。這是市場(chǎng)上第一臺(tái)測(cè)量頻率高達(dá)67 GHz的四端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。它的高動(dòng)態(tài)范圍 (110 dB 在 67 GHz)和高功率輸出 (6 dBm 在 67 GHz)特性，使 R&S ZVA67 滿足無(wú)論是微波或毫米波頻段的器件和模塊的各類測(cè)試和性能要求。它可以使研發(fā)人員快速并精確得到多端口器件的S參數(shù)。此外，分析儀所配置的內(nèi)部4個(gè)信號(hào)源可以降低測(cè)試系統(tǒng)的復(fù)雜性和所需儀器的數(shù)量，如測(cè)量頻率變換模塊時(shí)，則無(wú)需外部信
關(guān)鍵字： R&S 網(wǎng)絡(luò)分析儀 ZVA67

R&S測(cè)試解決方案成功驗(yàn)證ASTRI的TD LTE微型基站

　　香港應(yīng)用科技研究院有限公司(ASTRI)采用羅德與施瓦茨公司(R&S)領(lǐng)先的LTE測(cè)試方案，對(duì)其TD-LTE微型基站成功地進(jìn)行了驗(yàn)證測(cè)試。根據(jù)3GPP規(guī)范TS36.141的最新版本要求，必須對(duì)發(fā)射機(jī)和接收機(jī)的特性以及衰落條件下接收機(jī)性能進(jìn)行測(cè)試。作為驗(yàn)證測(cè)試的一部分，兩家公司在實(shí)時(shí)條件下對(duì)基站的HARQ和timing-advanced功能進(jìn)行了業(yè)內(nèi)首次測(cè)試。　　對(duì)于TD LTE信號(hào)的產(chǎn)生，既可以使用羅德與施瓦茨公司的基帶信號(hào)源AMU也可以使用射頻信號(hào)源SMU。為了滿足射頻一致性測(cè)試要求，L
關(guān)鍵字： R&S TD-LTE 基站

R&S在CMW500上開發(fā)的LTE測(cè)試用例通過(guò)GCF論壇認(rèn)證

　　羅德與施瓦茨公司是GCF論壇上首家而且是唯一的一家成功認(rèn)證了LTE測(cè)試用例的測(cè)試測(cè)量設(shè)備提供商。在R&S CMW500寬帶無(wú)線通信測(cè)試儀上實(shí)現(xiàn)了3GPP 測(cè)試規(guī)范36.523中的第一個(gè)測(cè)試用例包并且通過(guò)了認(rèn)證。　　LTE是無(wú)線通信領(lǐng)域內(nèi)最具挑戰(zhàn)性和成長(zhǎng)最快的一項(xiàng)新技術(shù)。產(chǎn)業(yè)界內(nèi)最急迫的任務(wù)是開發(fā)出可用的測(cè)試設(shè)備，來(lái)支持3GPP為L(zhǎng)TE 終端定義的測(cè)試用例。　　羅德與施瓦茨公司在法國(guó)Sophia Antipolis 召開的GCF CAG#21次會(huì)議上認(rèn)證了第一個(gè)測(cè)試用例，這打響了LTE終
關(guān)鍵字： R&S LTE 測(cè)試

三星電子使用R&S儀表為其生產(chǎn)LTE網(wǎng)絡(luò)的USB調(diào)制解調(diào)器

　　韓國(guó)著名電子制造企業(yè)三星電子目前是世界上第一家為商用LTE網(wǎng)絡(luò)提供USB調(diào)制解調(diào)器終端的公司。為了滿足其嚴(yán)格的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，三星電子選擇使用羅德與施瓦茨公司提供的射頻測(cè)試儀表。R&S CMW500寬帶無(wú)線綜測(cè)儀是目前市場(chǎng)上唯一提供豐富信令測(cè)試功能的產(chǎn)品：它可以真實(shí)地模擬正常工作的基站，可以在信令模式下進(jìn)行高精度的發(fā)射機(jī)信號(hào)質(zhì)量和接收機(jī)靈敏度的測(cè)試。這些測(cè)試可以保證終端在實(shí)際應(yīng)用中依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的要求正確地注冊(cè)到網(wǎng)絡(luò)并建立連接。　　安東.梅斯邁爾先生，羅德與施瓦茨公司無(wú)線綜測(cè)儀部門總監(jiān)對(duì)CMW500推
關(guān)鍵字： R&S 儀表 LTE 調(diào)制解調(diào)器

R&S推出DVB-T2，ATSC M/H，CMMB測(cè)試解決方案

　　在2010年3月23日至3月25日北京中國(guó)國(guó)際展覽中心舉辦的2010年中國(guó)國(guó)際廣播電視信息網(wǎng)絡(luò)展覽會(huì)(CCBN 2010)上，R&S公司將展出：　　DVB-T2，ATSC M/H和CMMB測(cè)試解決方案　　R&S SFU廣播電視測(cè)試系統(tǒng)，全面支持DVB-T2，ATSC M/H和CMMB測(cè)試，可進(jìn)行多徑信道仿真;內(nèi)置多種噪聲源，可用于C/N測(cè)試、脈沖噪聲和相位噪聲的門限測(cè)試;內(nèi)置信號(hào)發(fā)生器及碼流記錄/播放器，附帶豐富測(cè)試信號(hào)及BER誤碼率測(cè)試功能。　　集數(shù)字電視信號(hào)分析儀、FM
關(guān)鍵字： R&S CMMB DVB-T2

Silentium利用Blackfin將有源噪聲消除技術(shù)推廣到各種應(yīng)用

　　在充斥各種電子設(shè)備、環(huán)境噪聲很大的地方，Silentium公司的有源噪聲控制(ANC)產(chǎn)品可為您實(shí)現(xiàn)“片上安靜”解決方案。這種解決方案的芯片就是ADI公司的Blackfin處理器。在ADI公司功能強(qiáng)大的數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)幫助下，Silentium公司成功解決了技術(shù)挑戰(zhàn)，為電子設(shè)備帶來(lái)帶真正的安靜。Silentium公司的ANC解決方案基于S-Cube™控制器技術(shù)，是Silentium公司在聲場(chǎng)分析領(lǐng)域深入研究和開發(fā)的成果，能在整個(gè)可聽頻譜范圍內(nèi)提供超過(guò)10dB(A)的
關(guān)鍵字： Silentium S-Cube Blackfin DSP

EPA通信協(xié)議在μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

EPA通信協(xié)議在μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),本文提出了一種基于μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)的EPA通信協(xié)議的實(shí)現(xiàn)方案。簡(jiǎn)要介紹了EPA通信協(xié)議和模型，針對(duì)在以μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)為平臺(tái)實(shí)現(xiàn)EPA設(shè)備通信的需求，提出了設(shè)計(jì)思路及其構(gòu)建方法，并在實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)上得到應(yīng)用。
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 嵌入式 C/OS-II 通信協(xié)議 EPA 通信協(xié)議