cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

Sony欲強(qiáng)化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購(gòu)可能

　　Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機(jī)α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬(wàn)提高至4，240萬(wàn)，同時(shí)加強(qiáng)自動(dòng)對(duì)焦(AF)與防手震功能。　　日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，該相機(jī)并有399個(gè)相位對(duì)焦點(diǎn)、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達(dá)ISO 102，400，結(jié)合了高解析、高感光及高速對(duì)焦的機(jī)種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日?qǐng)A(約3，800美
關(guān)鍵字： Sony CMOS

一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

　　在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。　　傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。　　基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
關(guān)鍵字： DC-DC CMOS

艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

　　全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺(tái)?；谠摳邏褐瞥唐脚_(tái)的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。　　新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對(duì)20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
關(guān)鍵字：艾邁斯 CMOS

使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題：　　1、電源問(wèn)題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)

　　現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項(xiàng)。　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。　　因?yàn)?.4V與5V之間還有很大空閑
關(guān)鍵字： TTL，CMOS

CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求

　　簡(jiǎn)介：大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線(xiàn)，再由電壓線(xiàn)分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。　　引言　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面
關(guān)鍵字： CMOS ESD

學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的

　　簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去! 　　1、CS單管放大電路　　共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線(xiàn)性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端的處理方法

　　簡(jiǎn)介：CMOS和TTL集成門(mén)電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個(gè)問(wèn)題的方法，供大家參考。　　CMOS門(mén)電路　　CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下
關(guān)鍵字： CMOS TTL

TTL與CMOS電路的區(qū)別

　　簡(jiǎn)介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項(xiàng)等內(nèi)容。　　TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級(jí))，負(fù)載力大，不用端多數(shù)不用處理。　　CMOS：?jiǎn)渭?jí)器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級(jí))，負(fù)載力小，不用端必須處理。　　CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。　　CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因?yàn)?CMOS 的輸入時(shí)互補(bǔ)的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。　　TTL：
關(guān)鍵字： TTL CMOS

CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理

　　一、CMOS門(mén)電路　　CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平，輸出信號(hào)就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
關(guān)鍵字： CMOS TTL

我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（3）

　　簡(jiǎn)介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過(guò)程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。　　1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)轉(zhuǎn)瞬即逝的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程越長(zhǎng)，說(shuō)明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過(guò)程。因?yàn)槲覀冃枰氖谴_切的0、1值，不能過(guò)于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門(mén)電路之間的抗干擾性能會(huì)大打折扣! 　　2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門(mén)電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來(lái)，這樣
關(guān)鍵字： CMOS BJT

學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的

　　1、CS單管放大電路　　共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線(xiàn)性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
關(guān)鍵字： CMOS 電路

TTL和CMOS電平總結(jié)

　　簡(jiǎn)介：本文總結(jié)了TTL和CMOS電平的特點(diǎn)、使用方式等內(nèi)容。　　1，TTL電平(什么是TTL電平)：　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。　　特點(diǎn)：　　1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作　　3.CMOS的高
關(guān)鍵字： TTL CMOS

CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升晶圓級(jí)封裝設(shè)備需求增

　　微機(jī)電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠(chǎng)商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場(chǎng)需求殷切，在過(guò)去12個(gè)月以來(lái)，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來(lái)自于晶圓代工廠(chǎng)以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測(cè)廠(chǎng)(OSAT)多臺(tái)的訂單;大部份訂單需求的成長(zhǎng)系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
關(guān)鍵字： CMOS 3D-IC

CMOS影像傳感器需求熱 2015年將創(chuàng)紀(jì)錄

　　CMOS影像傳感器迎向新一波成長(zhǎng)。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights指出，繼手機(jī)之后，汽車(chē)、醫(yī)療影像、安全監(jiān)控、機(jī)器視覺(jué)等應(yīng)用，將接棒成為驅(qū)動(dòng)CMOS影像傳感器市場(chǎng)成長(zhǎng)的新動(dòng)能。　　2015年全球CMOS影像傳感器出貨量與銷(xiāo)售額預(yù)估將分別創(chuàng)下三十七億顆和101億美元新高紀(jì)錄，并可望于2019年達(dá)到六十億顆及150億美元的規(guī)模。　　
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cmos digital image sensor介紹

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