cmos“ 文章進(jìn)入cmos“技術(shù)社區(qū)

CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 振蕩器 CMOS

標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險(xiǎn)。正如在淘金熱時(shí)代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財(cái) 富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對那些不了解
關(guān)鍵字：納米 CMOS

高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進(jìn)行特征分析。先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
關(guān)鍵字：脈沖 CMOS

SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。　　
關(guān)鍵字： SuVolta CMOS

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
關(guān)鍵字：安森美 CMOS NCP4682

PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
關(guān)鍵字： SuVolta CMOS PowerShrink

0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 電壓基準(zhǔn) CMOS 0.18

一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種寬帶軌對軌運(yùn)算放大器，此運(yùn)算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實(shí)現(xiàn)輸入級總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
關(guān)鍵字： CMOS 運(yùn)算放大器

雙眼勝過單目：大陸集團(tuán)新推立體攝像機(jī)

日前，大陸集團(tuán)表示將推出新款立體攝像機(jī)（StereoCamera），作為其ContiGuard?安全系統(tǒng)元件之一，用于汽車前向...
關(guān)鍵字：大陸集團(tuán) 立體攝像機(jī) CMOS CCD傳感器

低功率CMOS無線射頻芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)

無線通訊市場的趨勢一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-RangeDevices)...
關(guān)鍵字：低功率 CMOS 無線射頻芯片 Zigbee

應(yīng)用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設(shè)計(jì)

提出一種應(yīng)用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設(shè)計(jì)。該分頻器采用脈沖吞吐結(jié)構(gòu)，可編程計(jì)數(shù)器和吞脈沖計(jì)數(shù)器都采用改進(jìn)的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結(jié)構(gòu)的模擬電路實(shí)現(xiàn)，相對于采用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時(shí)，對可編程分頻器中的檢測和置數(shù)邏輯做了改進(jìn)，提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進(jìn)行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實(shí)現(xiàn)200～515的分頻比，整個(gè)功耗不超過19 mW，版圖面積為106 μ
關(guān)鍵字：可編程設(shè)計(jì) CMOS 合成器頻率應(yīng)用

基于CMOS圖像傳感器OV7720的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)設(shè)計(jì)

以網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)為應(yīng)用背景，闡述了數(shù)字CMOS圖像傳感器OV7720芯片的參數(shù)、接口和通信協(xié)議，結(jié)合網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)的開發(fā)環(huán)境，詳細(xì)介紹了芯片與嵌入式CPU的硬件電路和軟件結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)以嵌入式Linux作為操作系統(tǒng)，相機(jī)芯片OV7720，OV529對數(shù)字視頻進(jìn)行采集、壓縮編碼并生成MPEG-4碼流。MPEG-4碼流經(jīng)過AT91SAM7X256控制器外掛的網(wǎng)絡(luò)芯片被輸送到PC機(jī)。PC機(jī)端通過內(nèi)嵌MPEG-4解壓插件的IE瀏覽器實(shí)時(shí)瀏覽視頻和控制網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)的狀態(tài)。
關(guān)鍵字：網(wǎng)絡(luò) 攝像機(jī) 設(shè)計(jì) OV7720 傳感器 CMOS 圖像基于

一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準(zhǔn)電壓的誤差放大問題，設(shè)計(jì)了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補(bǔ)償電容的前饋效應(yīng)，同時(shí)消除補(bǔ)償電容引入的零點(diǎn)。
關(guān)鍵字： CMOS PWM 誤差放大器

一種低壓高線性CMOS模擬乘法器設(shè)計(jì)

摘要：提出了一種新穎的CMOS四象限模擬乘法器電路，該乘法器基于交叉耦合平方電路結(jié)構(gòu)，并采用減法電路來實(shí)現(xiàn)。它采用0．18mu;m CMOS工藝，使用HSPICE軟件仿真。仿真結(jié)果顯示，該乘法器電路在1．8 V的電源電壓下工作
關(guān)鍵字：法器設(shè)計(jì) 模擬 CMOS 線性低壓

0．6 V CMOS軌至軌運(yùn)算放大器

摘要：為適應(yīng)低壓低功耗設(shè)計(jì)的應(yīng)用，設(shè)計(jì)了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運(yùn)算放大器。采用N溝道差分對和共模電平偏移的P溝道差分對來實(shí)現(xiàn)軌至軌信號輸入。當(dāng)輸入信號的共模電平處于中間時(shí)，P溝道差分對的輸入共模電平
關(guān)鍵字： CMOS 軌至軌運(yùn)算放大器