首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos“

超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

  • 　隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動(dòng)設(shè)備的普及,對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、低噪聲、
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  穩(wěn)壓器  線性  CMOS  超低  

巧焊場效應(yīng)管和CMOS集成電路

  • 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  焊  場效應(yīng)管  集成電路    

監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
  • 關(guān)鍵字： 傳感器  對比  圖像  CCD  CMOS  監(jiān)控  

監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對比

  • CCD（ChargeCoupledDevice）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOSImageSensor以下簡稱CIS）的主要...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  CCD  圖像傳感器  CIS  

威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

  • 　　威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 　　USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動(dòng)功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 　　VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實(shí)現(xiàn)在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
  • 關(guān)鍵字： 威盛  USB3.0  CMOS  

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
  • 關(guān)鍵字： RAM  重構(gòu)  模塊  設(shè)計(jì)  方法  FPGA  平臺(tái)  0.13  微米  CMOS  工藝  

一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

  • 0 引 言
    隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加，超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高，溫度保護(hù)電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計(jì)中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
  • 關(guān)鍵字： 電路  保護(hù)  溫度  CMOS  功能  

IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  • 　　IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。 　　在IEDM會(huì)議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 　　該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 　　該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
  • 關(guān)鍵字： IBM  CMOS  22nm  SOC  

兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與研究

  • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位，在調(diào)制、解調(diào)、時(shí)鐘恢復(fù)、頻率合成中都扮演著不可替代的角色?？煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近，鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求，越來越多的研究人員投人到基于CMOS工
  • 關(guān)鍵字： CMOS  高頻  壓控振蕩器    

10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計(jì)

東芝20nm級(jí)體硅CMOS工藝獲突破

  • 　　東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布，其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門，成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善，實(shí)現(xiàn)了這次突破。 　　在傳統(tǒng)工藝中，由于電子活動(dòng)性降低，通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級(jí)制程下已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實(shí)現(xiàn)了20nm級(jí)的體硅CMOS。這三層材料
  • 關(guān)鍵字： 東芝  CMOS  20nm  

高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

  • 0 引言
    電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對低壓差線性穩(wěn)壓器進(jìn)行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個(gè)基
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  CMOS  集成  高性能  
共936條 47/63 |‹ « 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 » ›|

cmos“介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos“!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos“的理解，并與今后在此搜索cmos“的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473