高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計

0 引言
電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對低壓差線性穩(wěn)壓器進行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個基本部分，用以提供穩(wěn)定的電壓源。它們屬于改進效率的線性穩(wěn)壓器。通過采用共漏功率管來替代常規(guī)線性穩(wěn)壓器的共源功率管，并以此來降低最小電壓降，改善電源效率。由于功率管上的較小壓降降低了功率消耗，從而使得低壓降線性穩(wěn)壓器在低電壓、片內(nèi)集成的電源管理系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。
要滿足常規(guī)線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性要求，通常需要一個微法量級的片外電容。而較大的微法級電容在現(xiàn)今設(shè)計工藝下還不能實現(xiàn)，因此，每個線性穩(wěn)壓源都需要一個板級片外電容。為了解決這個問題，本文提出了一種無片外電容的線性穩(wěn)壓源方案。該設(shè)計移除了大的片外電容，同時在各種工作條件下都能保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。除去了大的片外電容不僅被降低板級封裝成本，同時也可降低整個設(shè)計的成本，還有利于片內(nèi)集成的設(shè)計。

1 電路原理
由于本電源轉(zhuǎn)換器無片外電容，因此設(shè)計有兩個主要難題：一是過沖電壓的瞬態(tài)響應(yīng)，二是轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性問題。為了解決這些問題，本文采用偽密勒電容來提高多級運放的穩(wěn)定性。
1．1 瞬態(tài)響應(yīng)補償
在無片外電容電壓轉(zhuǎn)換器里，小的片內(nèi)輸出負載電容Cout就不能作為主極點，因而必須外推到高頻極點。因此，主極點必須在差分運放環(huán)路中，同時瞬態(tài)響應(yīng)信號必須通過環(huán)路的主極點。圖1所示是線性穩(wěn)壓器和電路結(jié)構(gòu)。圖中，主極點的等效輸入電容為CG(≈CGS+ApassCGD+C1)，差分運放的輸出阻抗R可使電流轉(zhuǎn)化為電壓。當(dāng)輸出電流產(chǎn)生階躍時，只有在經(jīng)過一定的延遲時間tp之后，柵電壓Vg足夠接近它的穩(wěn)態(tài)電壓時，功率管才能提供所需的電流。差分運放的寄生極點必須外推到高頻(這樣可以降低這些極點對于時延的影響)，線性穩(wěn)壓源的速度主要決定于gmerror/CG所影響的傳播延遲時間tp，其中，gmerror是差分運放輸人的小信號跨導(dǎo)。由于環(huán)路帶寬的限制，由差分運放反饋的環(huán)路不能很快的驅(qū)動功率管的柵級，因此，設(shè)計時需要一個環(huán)路來加速功率管柵級電流的注入。

圖1中的微分器是一個輔助的快通路，可以作為補償電路而成為本線性穩(wěn)壓源的核心組成部分。微分器不僅可提供一個快速瞬態(tài)檢測通路，而且還可作為交流穩(wěn)定性補償。實際上，可以簡單地把耦合網(wǎng)絡(luò)理解為一個單位增益電流緩沖器。Cf感應(yīng)的輸出電壓變化可轉(zhuǎn)化為電流信號if，然后通過耦合網(wǎng)絡(luò)注入到功率管的柵電容。補償電路分離極點，類似于常規(guī)的密勒補償結(jié)構(gòu)，也可以改善環(huán)路的速度。假設(shè)負載階躍電流為△ILOAD，那么，它將產(chǎn)生一個輸出電壓紋波△VOUT，同時Cf流過的電流對Cg進行沖放電，從而改變MP管的漏電流來補償△ILOAD，并最終使Vout回到其穩(wěn)定點。減小輸出紋波所需耦合電容的數(shù)值可以通過分析圖1中的電路得到。假設(shè)流過Rf1和Rf2的電流忽略不計，那么功率管柵電壓的變化所對應(yīng)的補償電流為：

對于一個電流幅度為0～50 mA，最大輸出紋波電壓為100 mV的線性穩(wěn)壓器來說，假設(shè)Gmp=50 mA／V，CG=5 pF，補償電容Cf為10CG=50 pF；那么，耦合電容的取值就必須保證在無負載或者最小Gmp時都能保持最小的輸出紋波。因此，負載瞬態(tài)工作電流從低到高變化時，需要更多的耦合電容。
很明顯，所需的耦合電容太大不利于片內(nèi)集成。所以，需要一種減小Cf大小并保持有效耦合電容的技術(shù)。為了分析電路，圖2給出了一個簡單的開環(huán)等效電路圖。如果電阻的阻抗相比于電容要小的話，那么流過電容的電流通過電阻RZ將轉(zhuǎn)化為電壓，然后通過Gmf再轉(zhuǎn)化為電流。由偽微分電路構(gòu)成的輔助電路可通過以下方式來提高有效補償電容：

在上述表達式中，假設(shè)寄生極點1／RzCf位于高頻范圍。Gmf的作用將體現(xiàn)在兩個方面：第一是Cf可以通過GmfRz來減小其數(shù)量級，第二是可消除Cf容所引起的前饋通路的影響。