IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
作者：
時(shí)間：2009-12-17
來(lái)源：Semiconduct International
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢
IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/101470.htm在IEDM會(huì)議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng)，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。
該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。
該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的SOI晶圓。
評(píng)論