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一種基于CMOS工藝的電荷泵鎖相環(huán)芯片的設(shè)計(jì)

  • 隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟，CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點(diǎn)使得采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。
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硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

  • 　　“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。 　　
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基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

  • Verilog HDL語言是IEEE標(biāo)準(zhǔn)的用于邏輯設(shè)計(jì)的硬件描述語言，具有廣泛的邏輯綜合工具支持，簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器，給出使用Verilog HDL語言設(shè)計(jì)的邏輯驅(qū)動(dòng)電路和仿真結(jié)果。
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江陰全力打造新傳感器產(chǎn)業(yè)園區(qū)

  • 　　新傳感器產(chǎn)業(yè)作為近兩年來逐漸升溫的新興產(chǎn)業(yè)之一，不斷吸引著各方的眼球。作為信息通信產(chǎn)業(yè)的前沿領(lǐng)域和最新方向，新傳感器產(chǎn)業(yè)是“感知中國”、“智慧地球”的基石，在當(dāng)前更被賦予了全新內(nèi)涵，蘊(yùn)藏著巨大機(jī)遇。在搶抓發(fā)展的大潮中，敢為人先的江陰人當(dāng)然不會(huì)放過這一極好的發(fā)展良機(jī)。 　　
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基于Zigbee的CMOS無線射頻芯片的設(shè)計(jì)考慮

  • 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標(biāo)準(zhǔn)，RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應(yīng)用規(guī)范)為例，介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設(shè)計(jì)概要，從電路設(shè)計(jì)到系統(tǒng)觀點(diǎn)，說明芯片設(shè)計(jì)和應(yīng)用過程中需要考
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Silicon Laboratories推出業(yè)界最具頻率彈性可在線編程CMOS時(shí)鐘發(fā)生器

  • 　　高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線編程的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器。新推出的8路時(shí)鐘發(fā)生器Si5350/51內(nèi)置壓控石英晶體振蕩器(VCXO)，能以單一時(shí)鐘IC取代傳統(tǒng)的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案，與其他時(shí)鐘產(chǎn)品相比，Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性，且可分別降低70%的抖動(dòng)和30%的功耗。
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如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS

  • 如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS　　說明　　這是一種小型獨(dú)立報(bào)警電路的選擇。每個(gè)警報(bào)的主要特點(diǎn)是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機(jī)電流。因此，他們非常適合電池供電。每個(gè)電路對(duì)將打印出一張A4紙。
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如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器

  • 　如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器　　說明　　這是一個(gè)區(qū)域報(bào)警 - 自動(dòng)出入和警笛截止定時(shí)器。這將容納所有的常閉輸入設(shè)備一般類型 - 例如磁簧觸點(diǎn) - 鋁箔膠帶 - PIRs等，但它很容易添加一個(gè)常開觸發(fā)。示意圖　　當(dāng)
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如何建立一個(gè)更簡單的CMOS單防區(qū)報(bào)警

  • 　如何建立一個(gè)更簡單的CMOS單防區(qū)報(bào)警器說明　　這是一個(gè)簡單的單區(qū)防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報(bào)器停產(chǎn)。它的設(shè)計(jì)是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動(dòng)開關(guān)
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如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器

  • 　如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器　　說明　　該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計(jì)時(shí)鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！　∪绻G
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采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

  • 這個(gè)測試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信
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一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

  • 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對(duì)PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補(bǔ)償，設(shè)計(jì)了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時(shí)電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
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全新APS C格式1600萬像素圖像傳感器進(jìn)入數(shù)碼單反相機(jī)市場

  • 　　CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計(jì)令該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動(dòng)態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達(dá)
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CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點(diǎn) 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計(jì)也會(huì)對(duì)各公司的微細(xì)化競爭帶來影響。 　　元件材料及曝光技術(shù)也會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 　　“估計(jì)一多半的半導(dǎo)體廠商都會(huì)在15nm工藝時(shí)向FinFET過渡”(英特爾)?！霸?0nm以
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基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設(shè)計(jì)

  • 　　本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸
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