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TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價于第四
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！　〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
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美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

  • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟背后，有一
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CXL標準成為現(xiàn)實：三星推出首款CXL內(nèi)存模塊

  • 早在3月初，三星就發(fā)布了首個DDR5 DRAM存儲芯片。而近日，三星又公布了目前世界上首款CXL協(xié)議的DDR5內(nèi)存，該內(nèi)存將被用于服務(wù)器領(lǐng)域。三星稱，基于CXL的DDR5內(nèi)存模塊采用了EDSFF尺寸，這允許服務(wù)器系統(tǒng)極大地提升內(nèi)存容量和帶寬。新的內(nèi)存模塊甚至可將內(nèi)存容量拓展到TB級別，減少內(nèi)存緩存所引起的系統(tǒng)延遲，并可加強服務(wù)器系統(tǒng)地機器學(xué)習(xí)、人工智能的能力。Compute Express Link (CXL) 是一種開放式互連新標準，于2019年由英特爾、谷歌等巨頭牽頭開發(fā)的。它主要面向CPU
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CXL、CCIX和SmartNIC助力 PCIe 5加速飛奔

  •   過去三十年間，基于服務(wù)器的運算歷經(jīng)多次飛躍式發(fā)展。在1990年代，業(yè)界從單插槽獨立服務(wù)器發(fā)展到服務(wù)器群集。緊接著在千禧年，產(chǎn)業(yè)首次看到雙插槽服務(wù)器；在這之后，多核處理器也相繼問世。進入下一個十年，GPU的用途遠遠超出了繪圖處理的范疇，我們見證了基于FPGA的加速器卡的興起。邁入2020年，SmartNIC網(wǎng)絡(luò)適配器（network interface card；NIC），即數(shù)據(jù)處理單元（DPU）開始風(fēng)靡。它們大量采用FPGA、多核Arm叢集或是兩者混合運用，每種作法都能大幅提高解決方案的效能
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美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答

  • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術(shù)1α 節(jié)點DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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2021年DRAM與NAND增長快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

  • 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預(yù)測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達12%，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲預(yù)計增長可達19%，增度遠超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

  • 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領(lǐng)域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
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受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％

  • 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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完全漲不動：內(nèi)存價格繼續(xù)觸底

  • 根據(jù)IC Insights的分析報告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。簡單回顧下，內(nèi)存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學(xué)習(xí)等推動了PC等設(shè)備的需求增長，內(nèi)存價格有所小幅反彈，但持續(xù)的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

  • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
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"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？

  • 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械設(shè)備、計算機、軟硬件及其輔助設(shè)備；存儲器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構(gòu)、民用核安全設(shè)備無損檢驗、
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HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

  • 前言人工智能/機器學(xué)習(xí)（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓(xùn)練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓(xùn)練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一。以先進的駕駛員輔助系
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