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Astera Labs全新發(fā)布Aries PCIe 5.0和CXL?2.0 Smart Retimers助力解鎖下一代云連接

  • 智能系統(tǒng)連接解決方案先驅(qū)Astera Labs近日宣布，其面向PCI Express? (PCIe?) 5.0和Compute Express Link? (CXL?) 2.0的Aries Smart Retimers現(xiàn)已進入量產(chǎn)階段。率先上市的Aries Smart Retimer產(chǎn)品組合圓滿完成與關鍵行業(yè)合作伙伴之間嚴苛的互操作性測試，測試涵蓋各種PCIe 5.0處理器、FPGA、加速計算、GPU、網(wǎng)絡、存儲和交換機SoC，為在企業(yè)數(shù)據(jù)中心和云中的廣泛部署鋪平了道路。Astera Labs首席執(zhí)行官J
  • 關鍵字： Astera Labs  Aries PCIe 5.0  CXL?2.0 Smart Retimers  

第二季度DRAM跌幅估縮小

  • 根據(jù)市調(diào)預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
  • 關鍵字： DRAM  集幫咨詢  

三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

  • 今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5X  DRAM  高通  驍龍  

微結(jié)構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
  • 關鍵字： DRAM  微結(jié)構  

美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導入

  • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預
  • 關鍵字： 美光  EUV  DRAM  

TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
  • 關鍵字： TrendForce  PC DRAM  

三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！　〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  DRAM  DDR5    

EUV技術開啟DRAM市場新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
  • 關鍵字： EUV  DRAM  

SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術的第四代10納米級DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
  • 關鍵字： SK海力士  10納米  DRAM  

美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創(chuàng)新

  • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟背后，有一
  • 關鍵字： 美光  176層NAND  1α DRAM   

CXL標準成為現(xiàn)實：三星推出首款CXL內(nèi)存模塊

  • 早在3月初，三星就發(fā)布了首個DDR5 DRAM存儲芯片。而近日，三星又公布了目前世界上首款CXL協(xié)議的DDR5內(nèi)存，該內(nèi)存將被用于服務器領域。三星稱，基于CXL的DDR5內(nèi)存模塊采用了EDSFF尺寸，這允許服務器系統(tǒng)極大地提升內(nèi)存容量和帶寬。新的內(nèi)存模塊甚至可將內(nèi)存容量拓展到TB級別，減少內(nèi)存緩存所引起的系統(tǒng)延遲，并可加強服務器系統(tǒng)地機器學習、人工智能的能力。Compute Express Link (CXL) 是一種開放式互連新標準，于2019年由英特爾、谷歌等巨頭牽頭開發(fā)的。它主要面向CPU
  • 關鍵字： 三星  CXL  內(nèi)存模塊  

CXL、CCIX和SmartNIC助力 PCIe 5加速飛奔

  •   過去三十年間，基于服務器的運算歷經(jīng)多次飛躍式發(fā)展。在1990年代，業(yè)界從單插槽獨立服務器發(fā)展到服務器群集。緊接著在千禧年，產(chǎn)業(yè)首次看到雙插槽服務器；在這之后，多核處理器也相繼問世。進入下一個十年，GPU的用途遠遠超出了繪圖處理的范疇，我們見證了基于FPGA的加速器卡的興起。邁入2020年，SmartNIC網(wǎng)絡適配器（network interface card；NIC），即數(shù)據(jù)處理單元（DPU）開始風靡。它們大量采用FPGA、多核Arm叢集或是兩者混合運用，每種作法都能大幅提高解決方案的效能
  • 關鍵字： CXL  CCIX  SmartNIC  PCIe 5  

美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答

  • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術1α 節(jié)點DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
  • 關鍵字： 202104  DRAM  

2021年DRAM與NAND增長快，美光領跑研發(fā)與新技術

  • 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測，半導體產(chǎn)業(yè)預計增長可達12%，整個半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

  • 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
  • 關鍵字： 美光科技  DRAM  NAND  
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