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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
- 關鍵字： 功率效率 美光 1β DRAM
美光出貨全球最先進的1β技術(shù)節(jié)點DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
- 關鍵字： 美光 1β技術(shù)節(jié)點 DRAM
美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
- 關鍵字： 美光 LPDDR5X-8500 內(nèi)存 1β DRAM
SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設備”相關具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉(zhuǎn)移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
- 關鍵字： SK海力士 DRAM NAND
8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
- 關鍵字： 三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備
- SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設備的供應，進而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
- 關鍵字： SK海力士 DRAM NAND
TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
- 關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 存儲器 CXL AI/ML DRAM
SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進一步處理。SPAR
- 關鍵字： SPARC 先進邏輯 DRAM 沉積技術(shù)
庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％
- 市調(diào)機構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
- 關鍵字： 集邦 DRAM NAND
Astera Labs面向CXL附加內(nèi)存擴展和池化應用的Leo Memory Connectivity Platform進入預量產(chǎn)階段
- 中國，北京 - 2022年9月1日-智能系統(tǒng)專用連接解決方案企業(yè)Astera Labs今日宣布已開始向客戶和戰(zhàn)略合作伙伴提供Leo Memory Connectivity Platform預量產(chǎn)樣品，平臺可支持Compute Express Link? (CXL?) 1.1和2.0，實現(xiàn)云服務器的安全性、可靠性以及高性能內(nèi)存擴展和池化。在對Leo智能內(nèi)存控制器 (Smart Memory Controllers)與業(yè)界先進的CPU/GPU平臺以及DRAM內(nèi)存模塊在各種實際工作負載上成功進行端到端互操作性測
- 關鍵字： Astera Labs CXL 內(nèi)存擴展 池化
美光車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗
- 全球汽車內(nèi)存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實現(xiàn)最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶提供出色的娛樂和用
- 關鍵字： 美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車載信息娛樂系統(tǒng)
DRAM 內(nèi)存加速降價，6 月報價環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低
- IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個月下跌。指標產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來新低。從作為指標的 8GB DDR4 內(nèi)存來看，6 月報價約 2.7 美元每個，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
- 關鍵字： DRAM 市場
潛力無限的汽車存儲芯片
- 隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領半導體發(fā)展新驅(qū)動力。 汽車芯片從應用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
- 關鍵字： 北京君正 兆易創(chuàng)新 DRAM NAND
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