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SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
- 2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內存)——HBM3*的技術界限,全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節(jié))**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品,并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后,又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?!?“最近隨著人工智能聊天機器人(AI Chatbot)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,高端存儲器需求也隨之增長,公司將從今年下半年起將其推向市場,以滿足
- 關鍵字: SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
利基型DRAM市場Q2回穩(wěn)
- 據(jù)媒體報道,盡管消費性電子應用需求復蘇緩慢,但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出,第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設計、制造與銷售公司,其產(chǎn)品包括利基型存儲器(Specialty DRAM)、行動存儲器(Mobile DRAM)以及編碼型閃存(Code Storage Flash Memory)。存儲器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價格上看,在NAND Flash方面,此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調查指出,即便原廠持續(xù)進行減產(chǎn),然需求端如服
- 關鍵字: 利基型 DRAM
第二季DRAM均價跌幅收斂至10~15%,仍不見止跌訊號
- TrendForce集邦咨詢表示,由于部分供應商如美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)已經(jīng)啟動DRAM減產(chǎn),相較第一季DRAM均價跌幅近20%,預估第二季跌幅會收斂至10~15%。不過,由于2023下半年需求復蘇狀況仍不明確,DRAM均價下行周期尚不見終止,在目前原廠庫存水位仍高的情況下,除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生,后續(xù)合約價才有可能反轉。PC DRAM方面,由于買方已連續(xù)三季大減采購量,目前買方的PC DRAM庫存約9~13周,而PC DRAM原廠已進行減產(chǎn),TrendForce集
- 關鍵字: DRAM 止跌 TrendForce
DRAM市況何時回溫?存儲廠商這樣說
- 當前,由于消費電子市場需求持續(xù)疲弱,當前存儲器賣方面臨庫存高企壓力,以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)下探。為避免存儲器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價,多家供應商已經(jīng)開始積極減產(chǎn),盡管2023年第一季價格跌幅將有所收斂,但集邦咨詢仍預估當季DRAM價格跌幅將達13~18%,NAND Flash均價跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展,近日,南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英:下半年市況將有所好轉南亞科總經(jīng)理李培英認為,受高通貨膨脹與供應鏈不順影響,今年上半年將是DRAM市況最差
- 關鍵字: DRAM 存儲
存儲器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌,加上庫存水位過高,終端消費支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導,三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導
- 關鍵字: 存儲器 DRAM NAND Flash
平面→立體,3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關鍵字: 3D DRAM 存儲器
三大存儲模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景
- 存儲模組大廠威剛認為,以供給面而言,DRAM供給相對單純且市場庫存水位較低,看好DRAM價格回溫時間可望早于NAND Flash。目前消費性需求尚未全面復蘇,第一季DRAM與NAND Flash合約價仍有小幅下跌壓力,但存儲器中下游業(yè)者庫存調整已歷經(jīng)近一年時間,并也降至相對健康水位,因此只要存儲器價格明確落底,市場備貨需求將可望快速啟動,加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預估,第一季營收走勢可望逐月走升,第二季優(yōu)于第一季,下半年可望明顯回升,宇瞻則認為,DRAM上半年仍會處于供過于求,但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
- 關鍵字: 存儲模組 威剛 宇瞻 DRAM
外媒:存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
- 關鍵字: 存儲 3D DRAM
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