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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

  • DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出

  • 近日，北京君正在接受機構(gòu)調(diào)研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領(lǐng)域。存儲產(chǎn)品價格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年，2
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郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

  • 11 月 6 日消息，天風證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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研華新一代CXL 2.0內(nèi)存，數(shù)據(jù)中心效率大革新！

  • 2024 年 10 月，研華科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 內(nèi)存模塊。Compute Express Link (CXL) 2.0 是內(nèi)存技術(shù)的下一代進化產(chǎn)品，可通過高速、低延遲的互連實現(xiàn)內(nèi)存擴展和加速，滿足大型 AI 訓練和高性能計算集群的需求。 CXL 2.0 建立在 CXL 規(guī)范的基礎(chǔ)上，引入了內(nèi)存共享和擴展等高級功能，使異構(gòu)計算環(huán)境中的資源利用效率更高，在當今高性能計算領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。通過E3.S 2T規(guī)格擴展內(nèi)存在傳統(tǒng)的內(nèi)存架構(gòu)中，固定的內(nèi)存分配常常導致資源利用率
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

  • TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算

  • 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統(tǒng)應用領(lǐng)域之外的應用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux

  • 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲器運行的自研軟件異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認可，并成功應用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認可，具有重大意義?！蔽磥?/li>
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TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔

  • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機，出現(xiàn)整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導致以消費型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內(nèi)存市場正遭遇嚴峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領(lǐng)半導體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預期第三季合約價將上調(diào)

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

  • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM

  • 8月7日消息，隨著移動設(shè)備功能的不斷增強，對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設(shè)計，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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存儲大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

  • 據(jù)《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業(yè)務規(guī)劃團隊董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲產(chǎn)品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
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HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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cxl dram介紹

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