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圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力
- 圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力2024年7月8日至10日,西安紫光國芯半導體股份有限公司(簡稱:紫光國芯,證券代碼:874451)精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等重點領域,為客戶提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關技術解決方案。展會現(xiàn)場重點展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術和CXL技術、新品牌云彣(UniWhen?)和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM,新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
- 關鍵字: 紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
服務器支撐下半年需求,預估DRAM價格第三季漲幅達8-13%
- 根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,由于通用型服務器(general server)需求復蘇,加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高,使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度,第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出,第二季買方補庫存意愿漸趨保守,供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季,智能手機及CSPs仍具補庫存的空間,且將進入生產(chǎn)旺季,因此預計智能手機
- 關鍵字: 服務器 DRAM TrendForce
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%
- 6月25日消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果,展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展,并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
- 關鍵字: SK海力士 3D DRAM
云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展,帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%
- 全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢觀察,2024年大型云端CSPs,如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商,將仍為采購高階主打訓練用AI server的主力客群,以作為LLM及AI建?;A。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓練用server基礎設施后,2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展,包含發(fā)展較為小型LLM模型,以及建置邊緣AI server,促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務等各領域應用落地。此外,因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
- 關鍵字: 云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce
HBM供應吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
- 內(nèi)存大廠美光預計6月26日公布季報,自美光的高帶寬內(nèi)存(HBM)開始供貨給輝達后,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。 市場分析師預期,美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價格進一步上揚,以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM,下一世代的發(fā)展,提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求,人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增,且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現(xiàn)象,意思是「害怕錯失機會」,在美光
- 關鍵字: HBM DRAM 美光
美光后里廠火災 公司聲明營運未受任何影響
- 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點34分發(fā)生火警,火勢快速撲滅,無人傷亡,美光昨深夜發(fā)出聲明指出,臺中廠火警廠區(qū)營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報,中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災,消防局抵達時廠區(qū)人員已將火勢撲滅,無人受傷,原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟日報報導,美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明,經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞,且廠區(qū)營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商,市占約19.2%,與前兩大三星及SK海力士合計市占達96%。美光高達65%的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn),
- 關鍵字: 美光 DRAM
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求,消息稱三星、SK 海力士相關產(chǎn)線開工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息,韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱,韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱,這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正?;?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比:除鎧俠外,三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負荷運行。報道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常規(guī) DDR、LPDDR)需求整體萎靡,市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面,是下游傳統(tǒng)服務器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
- 關鍵字: DRAM 閃存 三星 海力士
合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增
- 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè),受到主流產(chǎn)品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大,帶動營收較前一季度成長5.1%,達183.5億美元,推動多數(shù)業(yè)者營收呈季增趨勢。TrendForce指出,第一季三大原廠出貨皆季減,反映產(chǎn)業(yè)淡季效應,加上下游業(yè)者的庫存水平墊高,采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍,再加上庫存仍處于健康水位,漲價意圖強烈。其中,中系手機銷售暢旺,帶動mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用,而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化,拖累價格漲幅居所有應用之
- 關鍵字: 存儲器 DRAM TrendForce
合約價上漲抵消淡季效應,推升DRAM第一季營收季增5.1%
- 根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大,帶動營收較前一季度成長5.1%,達183.5億美元,推動多數(shù)業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。出貨表現(xiàn)上,第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減,反映產(chǎn)業(yè)淡季效應,加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高,采購量明顯減弱。平均銷售單價方面,三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍,再加上庫存仍處于健康水位,故漲價意愿強烈。其中,中系手機銷售暢旺,帶動Mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用,而Co
- 關鍵字: 淡季效應 DRAM TrendForce 集邦咨詢
南亞科技:首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息,綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道,南亞科技在昨日的年度股東常會上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn),涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn),明年進一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
- 關鍵字: 南亞科技 內(nèi)存 DRAM
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報道,美光科技計劃投入6000億-8000億日圓(約合人民幣277-369億元)在日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工,并安裝極紫外光刻(EUV)設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱,此前,日本政府已批準多達1920億日圓補貼,支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示,將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片,這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術發(fā)展的關鍵。
- 關鍵字: 美光 DRAM 日本 EUV
HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求
- 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘,皆積極投入高帶寬內(nèi)存(HBM)制程,法人表示,在產(chǎn)能排擠效應下,下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應求,預期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究,DRAM原廠提高先進制程投片,產(chǎn)能提升將集中今年下半年,預期1alpha nm(含)以上投片,至年底將占DRAM總投片比重約40%。由于HBM獲利表現(xiàn)佳,加上需求續(xù)增,生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看,2024年HBM3e將是市場主流,集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商,與美光均采1be
- 關鍵字: HBM DRAM TrendForce
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年,DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡,此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后,供應商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進一步減少,更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱,全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內(nèi)存,全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲,預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3;而SK海力士則在去年
- 關鍵字: 三星 SK海力士 內(nèi)存 DRAM HBM
SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
- IT之家 5 月 14 日消息,據(jù)韓媒 Hankyung 報道,兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示,整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM,HBM 內(nèi)存坐擁更高單價,不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下,三星電子代表預計,不僅 HBM 內(nèi)存,通用 DRAM(如標準 DDR5)的價格年內(nèi)也不會
- 關鍵字: 海力士 三星 DRAM
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