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半導(dǎo)體分析師認為DRAM價格下跌將減緩

  •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團旗下半導(dǎo)體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調(diào)高，理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。     據(jù)了解，花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調(diào)高至“買進”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”，韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出，價格可能在下個月或其后一個約觸底，而全球
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300mm線建設(shè)今年掀高潮

  • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降，但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測，當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線，比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報在2001年經(jīng)濟衰退中受到嚴(yán)重打擊，可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。 
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

  • 　　英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學(xué)會　2004年12月13～15日于美國舊金山舉行）國際電子器件會議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù)，此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎(chǔ)。目前全球25％的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報告中，英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破，顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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上半年全球DRAM市場增長66% 中國成決定因素

  • 　　iSuppli最新發(fā)布的報告指出，今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%，中國市場增長88%，其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經(jīng)濟情況改善，其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%，遠不及全球的66%。  　　　在主要供貨商方面，Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長；而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場，Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，市場占有率高達42%，去年同期為40%。
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美商凱創(chuàng)獲獎入侵偵測系統(tǒng)Dragon新版問世

  • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內(nèi)發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統(tǒng)（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強化企業(yè)網(wǎng)路的安全
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1993年，第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功

  • 　　1993年，第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
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1985年，第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功

  • 　　1985年，第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  
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