cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區(qū)
DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍
- DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步,90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大,首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。 臺灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示,2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn),DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢,一批較早的8英寸芯片廠,已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為,五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè),全球DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)應(yīng)用中,有
- 關(guān)鍵字: 8英寸 DRAM IC制造 單片機(jī) 理性突圍 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍
- 推動全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個輪子,一個是縮小特征尺寸,另一個是增大硅片直徑,通常總是以不斷地縮小特征尺寸為先。如今,全球正進(jìn)入12英寸,65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮,業(yè)界正在為何時進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下,業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀,以及何時將退出歷史舞臺??v觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程,進(jìn)入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右,所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段,顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
- 關(guān)鍵字: 8英寸 DRAM IC 存儲器
奇夢達(dá)與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗(yàn)證
- 奇夢達(dá)公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗(yàn)證,最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項(xiàng)新的技術(shù)平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達(dá)開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達(dá)的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項(xiàng)新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負(fù)責(zé)奇夢達(dá)的市場和運(yùn)作,也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
- 關(guān)鍵字: 75納米 DRAM 單片機(jī) 技術(shù)驗(yàn)證 南亞科技 奇夢達(dá) 嵌入式系統(tǒng) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 存儲器
因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位
- iSuppli表示, DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個月來最低水準(zhǔn),因開學(xué)季帶動個人電腦銷售增長?!?nbsp; 這家美國研究機(jī)構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降,并在報告中調(diào)升短期DRAM市況評等,由原先的“中性”升至“正向”?! ?nbsp; iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出,8月初時,DRAM庫存為1.92周,較7月的平均水準(zhǔn)下降18%,因新學(xué)年開始前,PC銷售大幅增加?!?nbsp; 由于微處理器
- 關(guān)鍵字: DRAM PC 單片機(jī) 庫存 嵌入式系統(tǒng) 消費(fèi)電子 需求 存儲器 消費(fèi)電子
05年DRAM芯片銷售排名三星仍保持冠軍
- 據(jù)著名市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元,2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下,中國臺灣南亞科技公司(Nanya)和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達(dá)公司(Elpida)是全球最高前六個公司中銷售收入實(shí)現(xiàn)了增長的公司。 調(diào)研公司表示,盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
- 關(guān)鍵字: DRAM 銷售 芯片 存儲器
ST推出內(nèi)置DRAM存儲器的微控制器
- 意法半導(dǎo)體(ST)日前公布了一款針對無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備開發(fā)的多用途微控制器的細(xì)節(jié)。這個代號為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內(nèi)存、eFPGA(嵌入式現(xiàn)場可編程邏輯門陣列)模塊以及各種模擬和數(shù)字外設(shè)。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統(tǒng)芯片產(chǎn)品。 GreenFI
- 關(guān)鍵字: DRAM ST 微控制器 存儲器
端接DDR DRAM的電源電路
- DDR(雙數(shù)據(jù)速率)DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時,必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
- 關(guān)鍵字: 電源電路 DDR DRAM 存儲器
6月份全球DRAM出貨量增長了4% 達(dá)5.54億件
- 來自市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù),6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長了4%,達(dá)到了5.54億件,其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%,DDR2的比例為30%。 DRAMeXchange預(yù)測,隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減,其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個第三季度,而DDR2內(nèi)存市場,就出貨量而言,Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機(jī)構(gòu)還預(yù)測
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲器
DRAM齊備庫存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚
- 國際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計算機(jī)大廠擔(dān)心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后,目前庫存貨源可能不敷使用,近期紛紛開始增加對DRAM廠下單,惟國際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品,因此供貨情況未能滿足國際OEM計算機(jī)廠需求,為此,OEM計算機(jī)廠也轉(zhuǎn)向臺灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng),且以過去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場的DRAM廠為主,據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。 TRI觀點(diǎn):以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動態(tài)來觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下:
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲器
DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)硬 出貨報價決不妥協(xié)
- 進(jìn)入第二季底,多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對季底作帳而壓低DRAM報價,不過,由于日前合約價公布后竟逆勢上漲1~3%,讓所有DRAM廠吃下定心丸,不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價壓力。DRAM渠道商指出,現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說是相當(dāng)強(qiáng)硬,客戶端若無法接受其報出價位,寧可不賣也不愿壓低報價。 全球DRAM最新合約價公布后,盡管無法達(dá)到DRAM廠原本希望上調(diào)到3~5%的幅度,但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調(diào)1~3%的事實(shí),而DRAM廠之所以能順勢漲價,最重要因素在于目
- 關(guān)鍵字: DRAM 其他IC 制程
臺灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動近期趨頻繁
- 近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉(zhuǎn)換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動率偏高情況,DRAM業(yè)界多認(rèn)為,盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運(yùn)作,但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。 華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經(jīng)
- 關(guān)鍵字: DRAM 其他IC 制程
cxl dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cxl dram的理解,并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cxl dram的理解,并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473