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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因,供應(yīng)方面:三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate
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通脹沖擊消費電子終端買氣,2022年DRAM模組廠營收年減4.6%
- 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買氣影響,據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元,年衰退約4.6%;其中各模組廠因供應(yīng)的領(lǐng)域不同,使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%;前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業(yè)額,其中Kingston(金士頓)的市占達78%,雖營收小幅下跌,仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳,但基于Kingston品牌規(guī)模,加上完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈,使得其營收衰退幅度較小,僅衰
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
- 10月9日,韓國總統(tǒng)辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉,無限期豁免將通過更新Validated End-User(VEU)清單來取得。若被納入該清單,便無需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào),與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?!盨K海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將
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存儲芯片,果真回暖了
- 受需求放緩、供應(yīng)增加、價格競爭加劇等因素影響,存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示,DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均價跌幅收斂至 13%~18%,Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似,NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%,今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息,閃存市場固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響,依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期,但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源:SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代,美光將其稱為 1β DRAM,而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM,不過研發(fā)的目標是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM,這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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1γ DRAM、321層NAND!存儲大廠先進技術(shù)競賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響,存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但存儲大廠對于先進技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言,先進制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗。當前,DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后,計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù),目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn),未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國家安全護欄,韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù),并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件,并在未來10年內(nèi)避免在中國進行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示,補貼接受者在
- 關(guān)鍵字: CHIPS法案 韓國半導(dǎo)體 DRAM NAND
集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求?
- 消費類DRAM廣泛普及,而且往往物美價廉。然而,這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險和缺陷。在本文中,我們將探討消費類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異,并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM(物料清單);這意味著模塊中使用的材料可能會發(fā)生變化,而且經(jīng)常會在用戶未知的情況下發(fā)生變化,另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試,在三月份再訂購五百個用于生產(chǎn),但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
- 關(guān)鍵字: innodisk DRAM
美光訂價能力升 營運露曙光
- 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報,鑒于美光對DRAM的訂價能力提升,市場高度期待美光獲利進一步改善,預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn),部分市場需求轉(zhuǎn)強,AI服務(wù)器需求尤為強勁,致使DRAM報價逐漸改善。美光財務(wù)長Mark Murphy先前透露,若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測價格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強。美光營運有望改善,帶動股價逐漸走強,該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商,紛紛上調(diào)美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等,目標價從75美元調(diào)高到
- 關(guān)鍵字: 美光 DDR5 DRAM
存儲廠商持續(xù)減產(chǎn),市場何時迎來供需平衡?
- 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響,存儲市場發(fā)展“遇冷”,鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動減產(chǎn),2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過,由于市場需求持續(xù)衰弱,2023年存儲市況仍未復(fù)蘇,價格不斷下跌,廠商業(yè)績承壓。這一背景下,部分存儲廠商期望通過繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價格,推動市場供需平衡。近日,臺灣地區(qū)《工商時報》等媒體報道,DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產(chǎn)策略,調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出,根據(jù)客戶需求和市場變化動態(tài)調(diào)整,以應(yīng)對市場疲軟,預(yù)計產(chǎn)能將動態(tài)調(diào)降20%以內(nèi)。此前,全球市場
- 關(guān)鍵字: 存儲廠商 DRAM TrendForce
3D DRAM 設(shè)計能否實現(xiàn)?
- 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
- 關(guān)鍵字: DRAM
DRAM的變數(shù)
- 一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù),第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營收約 114.3 億美元,環(huán)比增長 20.4%,終結(jié)連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風(fēng)向標,止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后,不知道還有多少變數(shù),又何時傳遞給整個半導(dǎo)體行業(yè)呢?經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告,2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元,環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度,DRAM 供應(yīng)商庫存快速堆積,為搶占第四季度的出貨市
- 關(guān)鍵字: DRAM
美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)
- IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道,臺灣美光董事長盧東暉表示,美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn),其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產(chǎn),這是美光第 1 代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù)。據(jù)悉,美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠,1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn),日本廠未來也會導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強調(diào),臺灣和日本是美光非常重要的制造中心,美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位,并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(1)"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上,我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
- 關(guān)鍵字: 三星 12納米 DDR5 DRAM
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