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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
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處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

  • 處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機(jī)程序內(nèi)，皆屬于
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DDR測試技術(shù)與工具

  • DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國
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DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時代步伐？

  • 　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。 　　DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會出現(xiàn)在市場上。
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DRAM內(nèi)存迎來價格反彈期

  • 　　臺灣南亞科技2月16日表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價增長幅度至少達(dá)到5%，并以此開啟增長勢頭。此前他們預(yù)計DRAM芯片價格最早在一季度開始恢復(fù)增長。 　　
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基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)

  • 要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
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一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計

  • 自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實(shí)還原三維...
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如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

  • 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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基于FPGA的LED大屏幕控制系統(tǒng)的設(shè)計實(shí)現(xiàn)

  • 相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術(shù)，LED顯示技術(shù)有其獨(dú)特的優(yōu)越性：高亮度、寬可視角度、豐富...
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基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

  • 基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言　　面對不同的應(yīng)用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計需要保存原
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DDR信號測量方法及信號完整性驗(yàn)證面臨的挑戰(zhàn)與建議

  • 1． DDR概述　　如今，存儲器件在計算機(jī)、汽車與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無所不在。其中DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)是最常用的存儲器設(shè)計技術(shù)之一，而隨著該技術(shù)的發(fā)展，其傳輸速率在日益加快，功耗在日益
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基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計

  • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計,　　本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設(shè)計

  • 1內(nèi)存條的工作原理DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)...
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茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM

  • 　　臺系DRAM廠陸續(xù)啟動多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時雨。 　　2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
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ddr-sdram介紹

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