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電源管理IC是DDR SDRAM存儲(chǔ)器的理想選擇

與其它存儲(chǔ)器技術(shù)相比，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本?？膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
關(guān)鍵字：電源管理IC DDR SDRAM 存儲(chǔ)器便攜設(shè)備

多端口SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　0 引言　　目前，在很多視頻數(shù)據(jù)采集以及實(shí)時(shí)顯示的應(yīng)用開發(fā)中，常需要用到存儲(chǔ)容量大、讀寫速度快的存儲(chǔ)器。在各種存儲(chǔ)器件中，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM 以其速度快、容量大、價(jià)格低的特點(diǎn)而備受關(guān)注。SDRAM 的工
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爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片開發(fā)完成

　　爾必達(dá)公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段，年底前則可實(shí)現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)爾必達(dá)公司表示，這種新芯片的面積更小，總體良品率方面也比過去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%，而1.6Gbps數(shù)據(jù)傳輸率的產(chǎn)品良率更可達(dá)100%。　　比較舊有的50nm制程產(chǎn)品，新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時(shí)也可以在DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
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基于FPGA的高速SDRAM控制器的視頻應(yīng)用

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SDRAM(同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)是一種應(yīng)用廣泛的存儲(chǔ)器，具有容量大、數(shù)據(jù)讀寫速度快、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，特別適合那些需要海量存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域，例如視頻方面。
這里有一個(gè)視頻項(xiàng)目要求將非標(biāo)準(zhǔn)的ITU-R BT.
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6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開始發(fā)力

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來首次超過1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利用率正在快速增長(zhǎng)
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VLSI Research：6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來首次超過1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來首次突破1。　　6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。　　后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利
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嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)

嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn),介紹一種用于嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)的SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)方案。根據(jù)實(shí)時(shí)系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率及連續(xù)性的要求，將SDRAM配置為全頁突發(fā)操作模式，并采用異步FIFO作為FPGA與SDRAM間的數(shù)據(jù)緩沖器。為配合SDRAM的全頁操作模式，并充分利用其高速讀寫性能，將FIFO設(shè)計(jì)為基于乒乓操作的流水線結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的無縫緩存。將該方案用于實(shí)時(shí)紅外熱成像系統(tǒng)，經(jīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該SDRAM控制器執(zhí)行效率高，占用資源少，可移植性強(qiáng)。
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恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。　　相較于
關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM

泰克推出第三代經(jīng)過驗(yàn)證的DDR分析軟件產(chǎn)品

　　全球領(lǐng)先的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)儀器提供商--泰克公司日前宣布，為DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代經(jīng)過驗(yàn)證的DDR分析軟件產(chǎn)品(DDRA選件)。泰克DDR測(cè)試解決方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度，同時(shí)覆蓋了物理層和數(shù)字域。泰克公司還為DDR3存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)推出一套新的擁有Nexus Technology技術(shù)的球柵陣列(BGA)元件內(nèi)插器(Interposers)，改善了連接能力。泰克系列邏輯分析儀、示波器和探測(cè)系統(tǒng)共同構(gòu)成了DDR設(shè)計(jì)和測(cè)試
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大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)

大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì),摘要：擴(kuò)大同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)的容量是提升嵌入式產(chǎn)品性能的關(guān)鍵問題。這里基于Intel公司的PXA255處理器提出一種大容量sDRAM的硬件設(shè)計(jì)方法，并在微軟提供的板級(jí)支撐包(BSF’)的基礎(chǔ)上編寫了一套在win―dows
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一種基于DDR高速圖像緩存的實(shí)現(xiàn)

隨著半導(dǎo)體傳感器技術(shù)的發(fā)展，在實(shí)際應(yīng)用中越來越多地用到了高幀頻、大面陣的CCD相機(jī)以獲取高質(zhì)量、高分辨率的圖像數(shù)據(jù)。以分辨率為1K×1K、幀頻為200f/s、8bit灰度級(jí)的相機(jī)為例，其圖像數(shù)據(jù)流速率就將高達(dá)200MB/s，
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DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設(shè)計(jì)(08-100)

　　DDR2(Double Data Rate 2，兩倍數(shù)據(jù)速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織開發(fā)的基于DDR SDRAM的升級(jí)存儲(chǔ)技術(shù)。相對(duì)于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個(gè)時(shí)鐘周期完成兩次數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶匦?，但DDR2 SDRAM在數(shù)據(jù)傳輸率、延時(shí)、功耗等方面都有了顯著提高，而這些性能的提高，主要來源于以下技術(shù)的提升：ODT，Post CAS，4n數(shù)據(jù)預(yù)取，封裝等。
關(guān)鍵字：思科 DDR2 SDRAM

Spartan-3A 的 DDR 2 接口數(shù)據(jù)采集

1引言DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一...
關(guān)鍵字： DDR FPGA 接口數(shù)據(jù)采集

嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計(jì)

嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計(jì),
關(guān)鍵字： DDR 時(shí)鐘終端匹配阻抗設(shè)計(jì)

ADI公司的新一代SHARC 處理器滿足專業(yè)音頻的所有需求

　　極高性能的浮點(diǎn)DSP，比以往的 SHARC處理器性能提高一倍，具有硬件加速器與音頻應(yīng)用提升特性: 片上存儲(chǔ)器增加60%以上，提供DDR2 SDRAM外部存儲(chǔ)器接口及連接端口　　中國(guó) 北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最新推出SHARC® ADSP-21469，以幫助開發(fā)人員重新定義專業(yè)系統(tǒng)中的逼真音響。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采樣速率：專業(yè)數(shù)字音頻應(yīng)用正在不斷逼
關(guān)鍵字： DSP SHARC處理器 DDR2 SDRAM ADI