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Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口

  • Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個有效的手段。通常來說，可以把系統(tǒng)頻率擴大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因為它們會增加
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力晶王其國：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

  • 　　力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標準型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會因為財務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應(yīng)用，對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。 　　王其國表示，過去摩爾定律認為每隔18個月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進
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基于A3P125和SDRAM實現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

  • 采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。


    　　功能特點：
    　　1、采用Actel中等容量
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三星跳電　存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內(nèi)便恢復(fù)運作，估計此事件對公司營運影響不大。 　　存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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用高帶寬混合信號示波器進行DDR驗證和調(diào)試的技巧

  • DDR存儲器，也稱雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器，常用于高級嵌入式電路系統(tǒng)的設(shè)計，包括計算機、交通運輸、家庭娛樂系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備和消費類電子產(chǎn)品。 DDR的廣泛采用也推動著DDR存儲器自身的研發(fā)，在DDR 1和DDR
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中芯國際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺灣廠商受惠

  • 　　上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。 　　由于中芯過去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能，成為國內(nèi)消費性電子產(chǎn)品及家電市場SDRAM最大供應(yīng)商，此次停產(chǎn)后導(dǎo)致市場供貨短缺效應(yīng)逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價近日飆出新天價，臺灣地區(qū)SDRAM供應(yīng)商受惠最大。 　　中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬片8吋芯片規(guī)模，在大陸消費性電子及家電市場，擁有超過30%的市場占有率，
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365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價還在0.5美元，當(dāng)時生產(chǎn)成本還在2美元，可見虧損有多嚴重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國與國之間的戰(zhàn)爭。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來，中間歷程看似短短 365天，但個中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進在通往天堂的路上。 　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計

  • 　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標準，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點，對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設(shè)計中由于存儲
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泰克為DDR測試和驗證解決方案系列增加兩項新功能

  • 　　泰克公司日前宣布增強和升級其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測試和驗證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內(nèi)插器為工程師提供了最新DDR3-1867標準的總線捕捉和分析功能。新型內(nèi)插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測試成本，使存儲器總線捕捉功能能為更多的設(shè)計人員所使用。泰克同時還為DDR標準最新的節(jié)能版LP-DDR2推出業(yè)內(nèi)第一款電氣接口測試和驗證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲器解決方案，為驗證和改善工程師的設(shè)計提供幫助。 　　DDR3-1867是最新一代雙倍數(shù)
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DDR存儲器電氣特性驗證

  • 在本應(yīng)用文章中，描述了與DDR相關(guān)的許多測試挑戰(zhàn)，并提出了驗證和調(diào)試存儲器設(shè)計的工具。
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多路讀寫SDRAM接口設(shè)計

  • 存儲器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進一步發(fā)展，對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫速度快
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗證

  • 　　韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 　　這次通過驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 　　Hynix宣稱
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實時視頻采集系統(tǒng)的SDRAM控制器設(shè)計

  • 描述了一種在PAL→VGA的實時視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理的方法。針對實時視頻采集系統(tǒng)一般使用2片SDRAM進行乒乓緩存的方式，給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進行乒乓操作的相對容易實現(xiàn)的SDRAM控制器設(shè)計方法。該方法通過充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計數(shù)的方式進行讀寫狀態(tài)轉(zhuǎn)換，在PAL→VGA實時視頻采集系統(tǒng)中實現(xiàn)了利用一片SDRAM進行圖像緩存。它在實時視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理方面，具有良好的應(yīng)用價值。
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以FPGA為橋梁的FIFO設(shè)計方案及其應(yīng)用

  • 引言在利用DSP實現(xiàn)視頻實時跟蹤時，需要進行大量高速的圖像采集。而DSP本身自帶的FIFO并不足以支持...
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電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇(二)

  • 與其它存儲器技術(shù)相比，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本?？膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
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ddr-sdram介紹

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