ddr-sdram 文章進(jìn)入ddr-sdram技術(shù)社區(qū)

基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制

摘要：隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的日益加大以及存儲(chǔ)速度的加快，大容量的高速存儲(chǔ)變得越來(lái)越重要。內(nèi)存條既能滿(mǎn)足大容量的存儲(chǔ)又能滿(mǎn)足讀寫(xiě)速度快的要求，這樣使得對(duì)內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原
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Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口

Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō)，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
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力晶王其國(guó)：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

　　力晶總經(jīng)理王其國(guó)表示，目前12寸晶圓廠(chǎng)不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來(lái)DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠(chǎng)上，會(huì)因?yàn)樨?cái)務(wù)問(wèn)題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過(guò)于求的問(wèn)題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對(duì)于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級(jí)的應(yīng)用，對(duì)于未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。　　王其國(guó)表示，過(guò)去摩爾定律認(rèn)為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來(lái)隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達(dá)成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
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基于A3P125和SDRAM實(shí)現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實(shí)現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

　　功能特點(diǎn)：
　　1、采用Actel中等容量
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三星跳電　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

　　三星電子(Samsung Electronics)韓國(guó)器興廠(chǎng)24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲(chǔ)器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。　　三星器興廠(chǎng)發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計(jì)此事件對(duì)公司營(yíng)運(yùn)影響不大。　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，這次三星受影響廠(chǎng)區(qū)
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用高帶寬混合信號(hào)示波器進(jìn)行DDR驗(yàn)證和調(diào)試的技巧

DDR存儲(chǔ)器，也稱(chēng)雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，常用于高級(jí)嵌入式電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，包括計(jì)算機(jī)、交通運(yùn)輸、家庭娛樂(lè)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。 DDR的廣泛采用也推動(dòng)著DDR存儲(chǔ)器自身的研發(fā)，在DDR 1和DDR
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中芯國(guó)際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺(tái)灣廠(chǎng)商受惠

　　上海芯片代工廠(chǎng)中芯國(guó)際自新任CEO王寧國(guó)掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠(chǎng)新芯、成都廠(chǎng)成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。　　由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電市場(chǎng)SDRAM最大供應(yīng)商，此次停產(chǎn)后導(dǎo)致市場(chǎng)供貨短缺效應(yīng)逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價(jià)近日飆出新天價(jià)，臺(tái)灣地區(qū)SDRAM供應(yīng)商受惠最大。　　中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬(wàn)片8吋芯片規(guī)模，在大陸消費(fèi)性電子及家電市場(chǎng)，擁有超過(guò)30%的市場(chǎng)占有率，
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365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見(jiàn)虧損有多嚴(yán)重，各廠(chǎng)只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠(chǎng)大整合階段，也演變成國(guó)與國(guó)之間的戰(zhàn)爭(zhēng)。但到了年底，DRAM廠(chǎng)又開(kāi)始生龍活虎起來(lái)，中間歷程看似短短 365天，但個(gè)中辛酸DRAM廠(chǎng)冷暖自知，未來(lái)各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺(tái)幣1億元、每1季虧損超過(guò)百億元的DRAM
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)

　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，具有速度更快、功耗更低、效能更高以及信號(hào)質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖像處理系統(tǒng))設(shè)計(jì)中由于存儲(chǔ)
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泰克為DDR測(cè)試和驗(yàn)證解決方案系列增加兩項(xiàng)新功能

　　泰克公司日前宣布增強(qiáng)和升級(jí)其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測(cè)試和驗(yàn)證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內(nèi)插器為工程師提供了最新DDR3-1867標(biāo)準(zhǔn)的總線(xiàn)捕捉和分析功能。新型內(nèi)插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測(cè)試成本，使存儲(chǔ)器總線(xiàn)捕捉功能能為更多的設(shè)計(jì)人員所使用。泰克同時(shí)還為DDR標(biāo)準(zhǔn)最新的節(jié)能版LP-DDR2推出業(yè)內(nèi)第一款電氣接口測(cè)試和驗(yàn)證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲(chǔ)器解決方案，為驗(yàn)證和改善工程師的設(shè)計(jì)提供幫助。　　DDR3-1867是最新一代雙倍數(shù)
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DDR存儲(chǔ)器電氣特性驗(yàn)證

在本應(yīng)用文章中，描述了與DDR相關(guān)的許多測(cè)試挑戰(zhàn)，并提出了驗(yàn)證和調(diào)試存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的工具。
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多路讀寫(xiě)SDRAM接口設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)器的容量和性能提出了越來(lái)越高的要求。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫(xiě)速度快
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過(guò)Intel驗(yàn)證

　　韓國(guó)Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗(yàn)證工作也將于年底前順利完成。　　這次通過(guò)驗(yàn)證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗(yàn)證時(shí)的運(yùn)行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。　　Hynix宣稱(chēng)
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實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)的SDRAM控制器設(shè)計(jì)

描述了一種在PAL→VGA的實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理的方法。針對(duì)實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)一般使用2片SDRAM進(jìn)行乒乓緩存的方式，給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進(jìn)行乒乓操作的相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)的SDRAM控制器設(shè)計(jì)方法。該方法通過(guò)充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計(jì)數(shù)的方式進(jìn)行讀寫(xiě)狀態(tài)轉(zhuǎn)換，在PAL→VGA實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了利用一片SDRAM進(jìn)行圖像緩存。它在實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理方面，具有良好的應(yīng)用價(jià)值。
關(guān)鍵字：控制器設(shè)計(jì) SDRAM 系統(tǒng) 視頻采集實(shí)時(shí)